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Blog de la compañía Transistores de potencia OptiMOSTM3 de suministro de canal N Infineon MOSFET IPB200N25N3G

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Compañía El blog
Transistores de potencia OptiMOSTM3 de suministro de canal N Infineon MOSFET IPB200N25N3G
últimas noticias de la compañía sobre Transistores de potencia OptiMOSTM3 de suministro de canal N Infineon MOSFET IPB200N25N3G

Como uno de los principales proveedores de componentes electrónicos en China, Mingjiada Electronics ha estado suministrando a Infineon originales y genuinosSe aplicará el procedimiento siguiente:OptiMOSTM3 alimenta MOSFET durante mucho tiempo, que adoptan la tecnología avanzada OptiMOSTM3 con alta eficiencia, baja resistencia y excelente rendimiento de conmutación,y se utilizan ampliamente en los campos de gestión de energía, motor de conducción y control industrial.

 

Se aplicará el procedimiento siguiente:Resumen del producto
El IPB200N25N3G es un MOSFET de potencia de canal N perteneciente a la familia OptiMOSTM3 de Infineon,disponible en un paquete TO-263-3 (D2PAK) con un voltaje de salida de 250V (Vdss) y una corriente de salida continua de 64A (Id)El IPB200N25N3G tiene una resistencia de encendido (Rds(on)) tan baja como 17.5mΩ @ 10V, y la carga de la puerta (Qg) es de solo 86nC, lo que lo convierte en un excelente desempeño en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

 

ElSe aplicará el procedimiento siguiente:Es adecuado para sistemas de 48 V, convertidores de CC-CC, UPS (alimentador ininterrumpido) e inversores de motor, proporcionando mejoras significativas en la eficiencia energética y reducción de las pérdidas del sistema.El IPB200N25N3G tiene un rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a +175°C y es compatible con RoHS, garantizando un funcionamiento estable en entornos adversos.

 

Se aplicará el procedimiento siguiente:Características del producto
Funcionamiento de alta tensión:Resistir a tensiones de hasta 250 V para satisfacer las necesidades de escenarios de aplicación de alto voltaje.
Baja resistencia de encendido: el IPB200N25N3G tiene una resistencia máxima de encendido de solo 150mΩ, lo que ayuda a reducir el consumo de energía y mejorar la eficiencia del sistema.
Velocidad de cambio alta:El IPB200N25N3G tiene características de conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia, lo que permite una conversión de potencia eficiente.
Alta confiabilidad:El IPB200N25N3G se somete a un estricto control de calidad y pruebas para garantizar la estabilidad y fiabilidad en una variedad de entornos adversos.
Envase:El IPB200N25N3G está disponible en un paquete TO-247 con buena disipación de calor para aplicaciones de alta potencia.

 

Se aplicará el procedimiento siguiente:Aplicaciones típicas
El IPB200N25N3G se utiliza ampliamente en las siguientes aplicaciones:
Suministro de energía industrial:Rectificación síncrona SMPS CA-CC, control del motor.
Nueva Energía:Inversor fotovoltaico, sistema de accionamiento de vehículos eléctricos.
Electrónica de consumo:Iluminación oculta, amplificador de audio de clase D.

 

Cómo comprarSe aplicará el procedimiento siguiente:?

Si desea comprar IPB200N25N3G, puede ponerse en contacto con Mingjiada Electronics a través de las siguientes formas:
Tel: +86 13410018555
El correo electrónico: sales@hkmjd.com

 

Con una cadena de suministro estable y un equipo de servicio profesional, Mingjiada Electronics asegura un suministro estable a largo plazo deSe aplicará el procedimiento siguiente:Para ayudar a los clientes a optimizar el diseño y mejorar el rendimiento del producto, elija Mingjiada, un proveedor confiable de MOSFET de potencia IPB200N25N3G OptiMOSTM3!

Tiempo del Pub : 2025-04-25 10:46:57 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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