Blog de la compañía Transistores automotrices TO-252-3 de los MOSFETs del grado del canal N IPD35N10S3L26ATMA1 100V de la fuente

Transistores automotrices TO-252-3 de los MOSFETs del grado del canal N IPD35N10S3L26ATMA1 100V de la fuente

Especificaciones

Polaridad del transistor: Canal N

Número de canales: 1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 100 V

Identificación - corriente continua del dren: 35 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 20 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 20 V, + 20 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 1,2 V

Qg - carga de la puerta: 39 nC

Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo: + 175 C

Paladio - disipación de poder: 71 W

Modo del canal: Aumento

Descripción de producto

IPD35N10S3L26ATMA1 es el Poder-transistor de OptiMOS®-T, carga total optimizada de la puerta para una etapa más pequeña de la salida del conductor.

Características

Canal N - modo aumentado

la avalancha 100% probó

temperatura de funcionamiento 175°C

Corriente máxima hasta 180A

Temperatura de la vuelta del pico MSL1 hasta 260°C

Apagones bajos del poder que cambian y de la conducción para la alta eficacia termal