Blog de la compañía El sistema de almacenamiento de datos de la unidad NOR Flash S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR Memory IC 2 GB paralelo 110 ns 64-FBGA

Mingjiada Electronics Nuevo y original suministro NOR Flash S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR IC de memoria 2Gb paralelo 110 ns 64-FBGA

El dispositivo de memoria flash S70GL02GS de 2 GB MIRRORBITTM está fabricado con tecnología de proceso MIRRORBITTM de 65 nm.El dispositivo tiene un tiempo de acceso rápido a la página de 25 ns y un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de 110 nsTiene un búfer de escritura que permite programar hasta 256 palabras/512 bytes en una sola operación.

Los parámetros: S70GL02GS11FHI010

Densidad: 2048 MBit

Serie: GL-S

Tiempo de acceso inicial: 110 ns

La frecuencia de interfaz (SDR/DDR) (MHz): NA

Interfaz: paralela

En el caso de los productos de las categorías IIa y IIIa, el valor de las materias primas de las categorías IIa y IIIa es el valor de las materias primas de las categorías IIa y IIIa.

Temperatura mínima y máxima de funcionamiento: -40 °C a 85 °C

Válvulas de tensión de funcionamiento: 3 V 2,7 V 3,6 V

Tiempo de acceso a la página: 20 ms

Temperatura máxima del reflujo: 260 °C

Certificaciones: grado industrial

Características que lo distinguen:

• 3.0 V núcleo CMOS con E/STM multifuncional
• Dos 1024 megabits en un solo paquete BGA reforzado de 64 bolas (S29GL01GS)
• Tecnología de proceso MIRRORBITTM de 65 nm
• Fuente única de alimentación (VCC) para lectura/programación/borrado (2,7 V a 3,6 V)
• Capacidades de E/S multifunción
• Válvula de entrada/salida (VIO): 1,65 V a VCC
• ×16 bus de datos
• Buffer de lectura de páginas de 16 palabras/32 bytes
• Buffer de programación de 512 bytes
• Programación en múltiplos de página de hasta 512 bytes
• Sector borrado
• Sectores uniformes de 128 KB
• S70GL02GS: 248 sectores
• Comandos de pausa y reanudación para las operaciones de programación y borrado
• Registro de estado, encuesta de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
• Protección avanzada del sector (PSA)
• Métodos de protección volátiles y no volátiles por sector
• Arrays independientes de programación única de 1024 bits (OTP) con dos regiones bloqueables
• Cada dispositivo tiene soporte de Interfaz Flash Común (CFI)
• Entrada de WP#
• Protege el primer o último sector de cada dispositivo, o los primeros y últimos sectores, independientemente de los ajustes de protección de los sectores
• Rango de temperatura
• Rango de temperatura industrial (de -40 °C a +85 °C)
• 100 000 borradores típicos por sector
• Período típico de conservación de los datos de 20 años
• Opciones de paquete
• BGA reforzado con LSH de 64 bolas, 13 mm ️ 11 mm

Información de contacto

Teléfono: +86 13410018555

El correo electrónico: sales@hkmjd.com

Página de inicio de la empresa:La Comisión ha adoptado una decisión sobre la aplicación de la presente Decisión.