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Blog de la compañía Suministro NXP PMDXB600UNE Transistores MOSFET de trinchera N de doble canal

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Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Suministro NXP PMDXB600UNE Transistores MOSFET de trinchera N de doble canal
últimas noticias de la compañía sobre Suministro NXP PMDXB600UNE Transistores MOSFET de trinchera N de doble canal

Suministro NXP PMDXB600UNE Transistores MOSFET de trinchera N de doble canal

 

Descripción del producto

PMDXB600UNE es un transistor de efecto de campo de doble modo de mejora de canal N en un paquete de plástico SOT1216 de dispositivo montado en superficie sin plomo utilizando la tecnología Trench MOSFET.

 

Características

Tecnología MOSFET de zanja

Envases de plástico SMD ultrapequeños y ultrafinos sin plomo: 1,1 × 1,0 × 0,37 mm

Pad de drenaje expuesto para una excelente conducción térmica

Protección contra descargas electrostáticas > 1 kV HBM

Resistencia en estado activo de la fuente de drenaje RDSon = 470 mΩ

 

Aplicaciones

Conducción del relé

Conducción de una línea de alta velocidad

Interruptor de carga en el lado inferior

Circuitos de conmutación

 

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Tiempo del Pub : 2023-09-15 11:15:19 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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