Con el rápido avance del diseño de la electrónica de potencia hoy, los MOSFET (Transistores de Efecto de Campo de Óxido Metálico-Semiconductor) sirven como componentes centrales en la gestión de energía y la conversión de energía,y su rendimiento afecta directamente a la eficiencia y fiabilidad de todo el sistemaShenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. mantiene un stock a largo plazo de la gama completa de MOSFET de potencia de canal N de Infineon, que cubre las tres series principales: OptiMOS TM, CoolMOS TM y StrongIRFET TM.Con una selección completa de modelos, productos genuinos, y precios competitivos, proporcionamos a los clientes una solución de compra de semiconductores de energía de una sola parada.
I. Resumen de la tecnología MOSFET de canal N de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal N de Infineon forman canales de corriente a través de electrones.haciendo que los dispositivos de canal N sean la opción preferida para aplicaciones de alta corriente. Infineon ofrece una cartera completa de MOSFET de potencia de canal N. Las series de productos combinadas OptiMOSTM y StrongIRFETTM cubren voltajes que van desde 12V hasta 250V y 300V,mientras que la serie CoolMOSTM está dedicada a aplicaciones de alto voltaje que van desde 500V hasta 950V.
II. Mingjiada Electronics Lista de modelos en stock
(1) Serie OptiMOSTM MOSFETs de N-canal optimizados de baja a media tensión y alta frecuencia
La serie OptiMOS TM está diseñada para aplicaciones de alto rendimiento y optimizada para altas frecuencias de conmutación, con una baja resistencia y un factor de forma (FoM) líderes en la industria.La serie cubre voltajes de 15V a 250V, con una resistencia de encendido tan baja como 0,29mΩ + y admite opciones de envasado innovadoras como enfriamiento de dos lados y configuraciones de fuente baja.
Mingjiada Electronics actualmente tiene en stock los siguientes modelos populares de la serie OptiMOSTM:
MOSFET de N-canal de bajo voltaje de 40 V, diseñado específicamente para sistemas de automóviles híbridos ligeros de 48 Va la vez que también es adecuado para aplicaciones industriales de accionamiento de bajo voltaje y cumple con los requisitos de fiabilidad de grado automotriz
IPP090N06S5A Modelo de voltaje medio a bajo de 60 V con velocidad de conmutación rápida y baja resistencia, adecuado para convertidores de CC-CC de alta frecuencia
Modelo de baja tensión de 30 V, adecuado para una amplia gama de aplicaciones, incluida la electrónica de consumo y el control industrial
IPT004N03LATMA1 MOSFET de canal N de 30 V, con una corriente de escape continua máxima de 300 A y una resistencia de encendido tan baja como 500μΩ, con un paquete HSOF y certificación AEC-Q101
BSC005N03LS5IATMA1 MOSFET de canal N de 30 V, corriente máxima 433A, paquete TDSON-8, el punto de referencia de alta corriente en la serie OptiMOS
BSC016N06NSATMA1 MOSFET de canal N de 60 V, con resistencia de 1.6 mΩ, corriente de drenaje continua de 225 A, parte de la serie OptiMOSTM5, optimizada para rectificación síncrona
IPT007N06NATMA1?? 60V MOSFET de canal N, resistencia de encendido tan baja como 0,75 mΩ, corriente máxima de 486 A, paquete TOLL, RDS más bajo de la industria
IQE013N04LM6 MOSFET de canal N de 40 V, con resistencia de 1,35 mΩ, corriente máxima de 205 A, en un paquete PQFN de 3,3x3,3 mm, líder en la industria
IAUCN04S7N005 MOSFET de N-canal de 40 V para automóviles, con resistencia de 0,55 mΩ, tecnología OptiMOSTM7, certificado AEC-Q101
IAUCN04S7N030 MOSFET de N-canal de 40 V para automóviles, con resistencia de encendido de 3,02 mΩ, adecuado para sistemas eléctricos de dirección asistida, frenos, etc.
Los MOSFETs de canal N de la serie 80V se utilizarán para la transmisión de información entre los distintos canales de transmisión.
ISC040N10NM7 MOSFET de canal N de 100 V
Los MOSFETs de canal N de la serie 60V
MOSFET de canal N de la serie 60V
IPB65R110CFD modelo de voltaje medio a alto de 650V, un producto optimizado de alta frecuencia de la serie OptiMOSTM, adecuado para inversores industriales y microinversores fotovoltaicos
(2) MOSFETs de canal N de superunión de alto voltaje de la serie CoolMOSTM
La serie CoolMOSTM es la línea de productos insignia de Infineon para MOSFET de alto voltaje de canal N. Como pionera en tecnología de superjunción (SJ), cubre rangos de voltaje de 500V a 950V,ofrece una excelente robustez de conmutaciónEsta serie ofrece una gama de productos diversa, incluyendo P7, C7/G7, S7/S7T, CFD7 y PFD7,que cubre una amplia gama de aplicaciones, desde baja hasta alta potencia.
Mingjiada Electronics actualmente tiene en stock los siguientes modelos populares de la serie CoolMOSTM:
MOSFET de alto voltaje N de 650 V IPW65R019C7 ̇A perteneciente a la serie CoolMOSTM C7 (la serie MOSFET de superjunción más eficiente de Infineon),con una resistencia de encendido tan baja como 19 mΩ y bajas pérdidas de conmutaciónEs adecuado para inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación industriales de alto voltaje, por lo que es un modelo clave en el nuevo sector energético.
MOSFET de alto voltaje N-canal IPW60R070P7?? 600V en un paquete TO-247, con una alta densidad de potencia y un excelente rendimiento térmico, adecuado para cargadores de vehículos y convertidores de alto voltaje CC-CC
IPP80R1200P7?? 800V MOSFET de alto voltaje de canal N, parte de la serie CoolMOSTM P7, con una capacidad de resistencia al voltaje excepcional, adecuado para iluminación de alta potencia, electrónica de consumo,y SMPS industriales
MOSFET de canal N IPT60R035CFD7XTMA1??600V con una resistencia de encendido de 35 mΩ y una corriente de escape continua de 67 A; parte de la serie CoolMOS CFD7,optimizado para aplicaciones de conmutación suave como LLC y ZVS
MOSFET de canal N IPD60R600C6?? 650V, corriente de drenaje continua 7.3A, con resistencia de 600mΩ, en un paquete TO-252
MOSFET de canal N SPW20N60C3?? 650V, corriente de drenaje continua de 20.7A, con resistencia de 0.19Ω, paquete TO-247, serie CoolMOSTM C3
SPP06N60C3 MOSFET de canal N de 600 V, corriente de drenaje continua 6.2A, 750 mΩ de resistencia, paquete TO-220
SPW35N60C3FKSA1 MOSFET de canal N de 650V, corriente de drenaje continua 34.6A, paquete TO-247-3
IPD70R360P7 MOSFET de canal N de 700 V
IPDQ60R055CM8 MOSFET de canal N de 600 V
IPLT60R024CM8 MOSFET de canal N de 600 V
(3) StrongIRFETTM Serie Low-frequency, MOSFETs de N-canal de alta robustez
La serie StrongIRFETTM (incluida StrongIRFETTM 2) se centra en el rango de voltaje 20V ∼150V y está diseñada específicamente para aplicaciones de baja frecuencia.excelente relación coste-rendimiento, y durabilidad, con una resistencia de encendido tan baja como 0,45 mΩ+. Utilizando paquetes estándar industriales como TOLL, es adecuado para escenarios de baja frecuencia con altos requisitos de fiabilidad del dispositivo.
Mingjiada Electronics actualmente tiene en stock los siguientes modelos populares de la serie StrongIRFETTM:
IRFP140NPBF 100V MOSFET de canal N de voltaje medio a bajo en un paquete TO-247, con una corriente de escape continua de 33A y una resistencia de encendido de 0,044Ω,con una capacidad de transmisión superior a 20 W,
IRF3205PBF 55V MOSFET de canal N de bajo voltaje con baja resistencia y alta capacidad de manejo de corriente, adecuado para la electrónica automotriz y los motores de transmisión de corriente continua
MOSFET de canal N de media a alta tensión de 400 V con excelente capacidad de resistencia al voltaje, adecuado para circuitos de conmutación de alta tensión, controladores LED y equipos de control industriales
IPP019N08NF2SAKMA1 MOSFET de canal N de 80 V, con resistencia de 1,9 mΩ, corriente de drenaje continua de 191 A, serie StrongIRFETTM 2
IRFB4321PBF ¢ 150V MOSFET de canal N, con resistencia de 15 mΩ, corriente de drenaje continua de 85 A, paquete TO-220, serie StrongIRFETTM
IPA082N10NF2SXKSA1?? 100V MOSFET de canal N, con resistencia de 8,2 mΩ, corriente de drenaje continua de 46 A, paquete TO-220FP, StrongIRFETTM Serie 2
IRFB7434PBF MOSFET de canal N de 40 V, corriente de drenaje continua de 195 A, con resistencia de encendido de 1,6 mΩ, paquete TO-220AB
Modelo de baja tensión de la serie StrongIRFETTM, corriente de drenaje continua de 56A
(4) Modelos de MOSFET de canal N de Infineon adicionales en stock
Mingjiada Electronics también tiene en stock los siguientes modelos de MOSFET de canal N de Infineon (lista parcial):
Las series de baja/media tensión:
Las medidas previstas en el presente Reglamento se aplicarán en el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones que no cumplan los requisitos establecidos en el apartado 1 del presente artículo, y en el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones que cumplan los requisitos establecidos en el apartado 1 del presente artículo.
Serial de voltaje medio a alto:
Las medidas de control de la seguridad de los productos incluidos en el anexo I del Reglamento (CE) n.o 1907/2006 se aplicarán a los productos de la categoría "A", "B", "C", "D" y "D" incluidos en el anexo II del Reglamento (CE) n.o 1907/2006 del Consejo.
Las series de alta tensión/de categoría automotriz:
Las categorías de productos incluidas en el anexo I del Reglamento (CE) n.o 1907/2006 son las siguientes:Los Estados miembros deberán establecer las normas de seguridad necesarias para garantizar el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II.
La lista anterior incluye solo una selección de modelos en stock. Si necesita otros modelos Infineon MOSFET de canal N, no dude en ponerse en contacto con nosotros.
III. ventajas de suministro de Mingjiada Electronics
Mingjiada Electronics ha estado profundamente involucrada en el sector de distribución de componentes electrónicos durante casi treinta años y ha obtenido la certificación del sistema de gestión de calidad ISO 9001.Mediante una estrecha colaboración con los proveedores y una gestión eficiente de la cadena de suministro, la empresa ofrece a sus clientes las siguientes ventajas de suministro:
1Productos originales garantizados.
Todos los productos se obtienen a través de canales oficiales directamente de los fabricantes, lo que garantiza una calidad fiable y elimina el riesgo de falsificaciones.Suministramos productos MOSFET de una amplia gama de marcas y modelos, incluidas marcas de renombre mundial como Renesas, Infineon, STMicroelectronics, Toshiba y Texas Instruments (TI).
2- Inventario de existencias
Con dos almacenes en Shenzhen y Hong Kong, mantenemos un stock de más de un millón de modelos populares, apoyando un modelo de entrega eficiente de pedidos el mismo día y envío al día siguiente.Los pedidos urgentes se envían en 4 horas., y los pedidos estándar se entregan dentro de las 48 horas.
3Soluciones flexibles de contratación pública
Apoyamos tanto las compras de muestras de pequeños lotes como los pedidos de grandes volúmenes a precios de mercado competitivos.Proporcionamos soluciones de adquisición flexibles y eficientes.
4- Cobertura de aplicaciones completa
Los productos MOSFET de canal N de Infineon suministrados por Mingjiada Electronics se utilizan ampliamente en los siguientes campos:
Control industrial: motores de accionamiento, inversores, máquinas de soldadura, fuentes de alimentación industriales (SMPS) y fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS)
Electrónica automotriz: MOSFET de grado automotriz que cumplen con las normas AEC-Q101, utilizados en sistemas de accionamiento eléctrico, cargadores integrados (OBC), sistemas de gestión de baterías (BMS),con una capacidad de transmisión superior a 300 W
Energía renovable: Inversores solares, sistemas de conversión de energía eólica, sistemas de almacenamiento de energía
Electrónica de consumo: electrodomésticos, controladores LED, adaptadores de alimentación, diversas fuentes de alimentación de carga rápida
Infraestructura de servidores y comunicaciones: Fuentes de alimentación de servidores, fuentes de alimentación de equipos de comunicación, soluciones de conversión de energía de centros de datos
5Servicios de reciclaje paralelo
Al tiempo que proporciona un suministro de productos de alta calidad, Mingjiada Electronics opera simultáneamente un negocio de reciclaje de excedentes de MOSFETs Infineon sellados en fábrica,ayudar a los clientes a resolver problemas de inventario atrasado y revitalizar activos.
IV. Contactar con nosotros
Para obtener más información sobre las especificaciones y parámetros de los productos MOSFET de canal N de Infineon o para consultas de compra, póngase en contacto con Mingjiada Electronics a través de los siguientes métodos:
Persona de contacto: el Sr. Chen
Teléfono: +86 13410018555 (también en WeChat)
El correo electrónico: sales@hkmjd.com
Dirección de la empresa: 1239-1241, Edificio New Asia Guoli, calle Zhenzhong, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong.
Ya sea para la adquisición de muestras o pedidos a granel, Mingjiada Electronics siempre defiende la integridad como nuestra base.Estamos comprometidos a proporcionar a los clientes los servicios de suministro de semiconductores de energía Infineon de la más alta calidad y confiabilidad, trabajando juntos para impulsar el avance continuo de los dispositivos electrónicos hacia una mayor eficiencia, miniaturización e inteligencia!
¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!
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