Placa de evaluación discreta ON: MOSFET, IGBT, Módulo de potencia, SiC
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,Como distribuidor independiente autorizado de componentes electrónicos de renombre mundial, aprovecha años de experiencia en la industria y un sistema de cadena de suministro estable para proporcionar a los clientes soluciones integrales de componentes electrónicos.
Productos principales:Chips 5G, ICs de nueva energía, ICs de IoT, ICs de Bluetooth, ICs telemáticos, ICs automotrices, ICs de grado automotriz, ICs de comunicaciones, ICs de IA, ICs de memoria, ICs de sensores, ICs de microcontroladores, ICs de transceptores, ICs de Ethernet, chips WiFi, módulos de comunicación inalámbrica, conectores y otros productos.
Ventajas de suministro
Todos los productos son artículos OEM genuinos, respaldados por una garantía de calidad integral y servicios de trazabilidad.
El inventario supera los 2 millones de SKU, cubriendo todo el espectro de componentes electrónicos.
Precios líderes en la industria logrados a través de la adquisición a gran escala y la optimización de los costos operativos.
Un sistema logístico eficiente asegura la entrega puntual.
El servicio postventa integral elimina las preocupaciones del cliente.
1. Placas de evaluación de dispositivos discretos: Flexibilidad y análisis en profundidad
Representadas por la EVBUM2897G-EVB de ON Semiconductor, las placas de evaluación de dispositivos discretos ofrecen un valor fundamental a través de la flexibilidad y las capacidades de análisis profundo. Los ingenieros pueden ajustar libremente parámetros como la resistencia de la puerta y el voltaje de accionamiento, observando meticulosamente su impacto en las trayectorias de conmutación. Esto las hace ideales para la investigación técnica preliminar y la validación de la selección de dispositivos.
La placa de evaluación avanzada de probador de doble pulso EVBUM2897G-EVB sirve como una herramienta versátil para el análisis comparativo del rendimiento de los dispositivos en laboratorios. Está diseñada específicamente para comparaciones rápidas y precisas del rendimiento de conmutación de MOSFETs EliteSiC e IGBTs en varios encapsulados discretos.
Versatilidad excepcional: Su principal fortaleza radica en el soporte de seis encapsulados de alta potencia convencionales, incluyendo TO247-3L/4L, D2PAK-7L, BPAK7, TOLL y POWER88. Esto permite a los desarrolladores usar una sola placa para comparar cómo los diferentes encapsulados afectan las características de conmutación del mismo chip, o para evaluar cómo los diferentes chips funcionan dentro del mismo encapsulado, proporcionando soporte de datos directo para la selección.
Arquitectura de prueba profesional: Esta placa trasciende un simple adaptador, integrando toda la circuitería crítica requerida para las pruebas completas de doble pulso (DPT):
Controlador de puerta única aislado: Proporciona 2.5 kV de aislamiento eléctrico, asegurando la seguridad y la integridad de la señal durante las pruebas de alto voltaje.
Diseño de PCB de baja inductancia y componentes integrados: El diseño del bucle de potencia está optimizado específicamente para minimizar la inductancia parásita. Incorpora un inductor de núcleo de aire bobinado con cable de 80 µH y un transformador de medición de corriente, lo que permite una medición más precisa del sobreimpulso de voltaje, el ringing y las pérdidas de conmutación durante el proceso de conmutación.
Soporte de alto voltaje: El diseño de la placa soporta dispositivos de hasta 1200V, con un voltaje de bus DC de hasta 1100V, cubriendo escenarios de aplicación de alto voltaje convencionales.
2. Placas de evaluación de módulos de potencia: Aplicaciones a nivel de sistema
Cuando los dispositivos se escalan a módulos de potencia de mayor integración, la evaluación se desplaza hacia el rendimiento a nivel de sistema. Por ejemplo, la placa de evaluación EVBUM2878G-EVB de ON Semiconductor está diseñada específicamente para su módulo de puente completo EliteSiC MOSFET M3S 4-PACK de 1200V.
Pruebas a nivel de sistema: Más allá de soportar pruebas de doble pulso, enfatiza las pruebas de potencia de circuito abierto para evaluar métricas críticas del sistema, como la eficiencia de conversión y el aumento de temperatura durante el funcionamiento sostenido.
Accionamiento y protección integrales: La placa integra cuatro controladores de puerta aislados independientes, capacitores de bus DC de película delgada preinstalados y un diseño de gestión térmica optimizado (utilizando PCB negra de alta emisividad), lo que permite la evaluación directa del rendimiento del módulo en aplicaciones prácticas como inversores solares, sistemas de almacenamiento de energía o estaciones de carga de vehículos eléctricos.
3. Solución de evaluación de módulos de potencia inteligente de carburo de silicio: Integración de sistema plug-and-play
La forma más alta de integración de semiconductores de potencia es el Módulo de Potencia Inteligente. La serie EliteSiC SPM 31 de IPM de ON Semiconductor integra MOSFETs SiC, controladores de puerta, circuitos de protección y detección de temperatura. Las soluciones de evaluación para tales módulos están altamente integradas.
Ventajas de rendimiento disruptivas: En comparación con las soluciones IGBT anteriores, este IPM SiC reduce el consumo de energía hasta en un 52% bajo cargas típicas, lo que reduce significativamente el consumo y los costos de energía anuales.
Diseño simplificado: El enfoque de evaluación se extiende más allá del dispositivo en sí para aprovechar rápidamente sus ventajas integradas. Con protección contra subtensión incorporada, diodos bootstrap y monitoreo de temperatura, los ingenieros pueden desarrollar rápidamente variadores de frecuencia eficientes y compactos basados en los diseños de referencia del fabricante. Estos son adecuados para aplicaciones como ventiladores de refrigeración de centros de datos de IA y servomotores industriales.
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