Blog de la compañía El valor de las emisiones de CO2 de los módulos de alimentación se calculará en función de las emisiones de CO2 de los módulos de alimentación de los módulos de alimentación.

El valor de las emisiones de CO2 de los módulos de alimentación se calculará en función de las emisiones de CO2 de los módulos de alimentación de los módulos de alimentación.

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.es un proveedor profesional de componentes electrónicos, que se adhiere al propósito de “atender a los clientes, beneficiando a los clientes”,mediante la optimización continua de la gestión de la cadena de suministro y la expansión de las líneas de productos, se ha convertido en una empresa de referencia mundial en el campo de la distribución de componentes electrónicos.

Productos principalesLos chips 5G, los circuitos integrados de nueva energía, los circuitos integrados de IoT, los circuitos integrados Bluetooth, los circuitos integrados telemáticos, los circuitos integrados de grado automotriz, los circuitos integrados de comunicación, los circuitos integrados de IA, los circuitos integrados de memoria, los circuitos integrados de sensores, los circuitos integrados de microcontroladores, los circuitos integrados de transceptores, los circuitos integrados de Ethernet,Chips Wifi, módulos de comunicación inalámbrica, conectores y otros componentes electrónicos

Ventaja de suministro

Sistema de inventario enorme: la empresa tiene más de 2 millones de tipos de inventario de modelos ventajosos, que cubren grado militar, grado industrial,comunicaciones y todo tipo de componentes de alta tecnología en frío y caliente, puede responder rápidamente a las necesidades urgentes de los clientes, acortando significativamente el ciclo de investigación y desarrollo y producción del cliente.

Estricta garantía de calidad: todos los componentes suministrados provienen de fabricantes originales o de canales autorizados, que ofrecen una trazabilidad completa de los lotes y servicios de garantía.La compañía implementa estrictamente la norma ISO9001:2014 sistema de gestión de calidad para garantizar la fiabilidad y la consistencia de cada producto.

Red logística eficiente: Con sucursales y socios logísticos en todo el mundo, podemos lograr una entrega rápida de 1-3 días y soportar un modelo de abastecimiento flexible tan pequeño como 1 pieza.Esta capacidad eficiente de la cadena de suministro es particularmente adecuada para los requisitos de pequeños lotes en la fase de I + D y para el procesamiento de pedidos urgentes.

Módulos IGBT: la combinación perfecta de alta densidad de potencia y fiabilidad

Los módulos de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), como los dispositivos centrales de los sistemas electrónicos de potencia modernos, dominan el campo de las aplicaciones de potencia media a alta.Los módulos IGBT de ON son conocidos por su baja pérdida, alta frecuencia de conmutación y gran robustez, y se utilizan ampliamente en equipos clave como motores eléctricos, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS),y convertidores de frecuencia industrialesEstos módulos utilizan la avanzada tecnología Trench Field Stop para lograr un equilibrio óptimo entre las pérdidas de conducción y de conmutación, mejorando significativamente la eficiencia general del sistema.

Las ventajas técnicas del módulo ON IGBT se reflejan principalmente en tres aspectos: en primer lugar, adopta una estructura de compuerta de zanja refinada,que reduce significativamente la caída de voltaje en estado activo (VCE ((sat)) y reduce la pérdida de potencia en el estado activoEn segundo lugar, el diseño optimizado de la capa de terminación de campo permite que el módulo tenga una velocidad de conmutación más rápida y una menor pérdida de conmutación, lo que es adecuado para escenarios de aplicación de alta frecuencia.y por último, el módulo integra un sensor de temperatura interno y una función de detección de corriente, lo que facilita la implementación de la eficiencia general del sistema.Los módulos IGBT están disponibles en voltajes de 600V a 1700V y en capacidades de corriente que van desde 30A a cientos de amperes para satisfacer las necesidades de aplicaciones en diferentes niveles de potencia.

Módulos MOSFET: ideales para conmutación de alta velocidad y conversión de alta eficiencia

Los módulos MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) muestran ventajas únicas en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.electrónica para automóviles, y sistemas de control industrial debido a su excelente rendimiento de conmutación y características de baja resistencia.el paquete modular proporciona una mayor densidad de potencia, mejor rendimiento térmico y diseño del sistema simplificado, que es particularmente adecuado para escenarios de aplicación de potencia media a alta.

Las características técnicas del módulo ON MOSFET se reflejan principalmente en cuatro aspectos:el módulo MOSFET con tecnología Super Junction (Super Junction) logra una resistencia de encendido muy baja (RDS(on)) en aplicaciones de alto voltajeEn segundo lugar, el diseño optimizado de la puerta permite una conmutación más rápida y reduce la pérdida de energía durante el proceso de conmutación.el módulo integra múltiples chips MOSFET dentro, que puede soportar diversas topologías, como puente completo, medio puente y seis grupos; por último, la tecnología de envasado avanzada garantiza un buen rendimiento de conducción térmica,que permite al módulo trabajar de forma estable en entornos de alta temperaturaEl nivel de voltaje del módulo MOSFET abarca de 40V a 900V, lo que satisface las necesidades diversificadas desde el convertidor DC-DC de bajo voltaje hasta el sistema de suministro de energía de alto voltaje.

Módulos de potencia inteligentes (IPM): la encarnación perfecta de la integración y la alta fiabilidad

Los módulos de potencia inteligentes (IPM) representan el nivel más alto de integración de la electrónica de potencia.y funciones de protección en un solo paquete, simplificando drásticamente el diseño del sistema y mejorando la fiabilidad.Estos módulos ofrecen una amplia gama de potencias de 50W a 10kW., y soporta una variedad de topologías como inversores trifásicos, PFC (corrección del factor de potencia) y rectificadores de puente de entrada.

Las principales ventajas de la ON IPM se reflejan principalmente en cuatro aspectos: primero, el diseño altamente integrado reduce el número de componentes externos y el área de PCB, reduciendo la complejidad del sistema y el coste.;En segundo lugar, el circuito de conducción integrado optimiza las características de conmutación de los dispositivos de potencia al tiempo que reduce las interferencias electromagnéticas (EMI); en tercer lugar,las funciones de protección integrales (incluida la sobrecorrienteLa línea de productos IPM cubre aplicaciones de baja y media tensión hasta 600 V.con capacidades de corriente que van desde unos pocos amperes hasta decenas de amperes para satisfacer las necesidades de diferentes niveles de potencia.

Módulo de carburo de silicio (SiC): un punto de referencia tecnológico para dispositivos eléctricos de próxima generación

Los módulos de potencia de carburo de silicio (SiC) representan la dirección de desarrollo de vanguardia de la tecnología de semiconductores de potencia.Los módulos SiC de ON utilizan el carburo de silicio (SiC) de la tercera generación como dispositivo base, que tiene ventajas significativas como tolerancia a altas temperaturas, características de alta frecuencia y baja pérdida de conducción,y está impulsando la mejora de las áreas tecnológicas como los vehículos eléctricos, inversores solares y fuentes de alimentación de centros de datos.Los módulos de SiC pueden aumentar la eficiencia del sistema en un 3-5% y reducir el consumo de energía en más del 30%, al tiempo que reducen significativamente el tamaño y el peso del sistema, convirtiéndolos en una solución ideal para hacer frente a los desafíos de eficiencia energética y densidad de energía.

Las ventajas técnicas de los módulos ON SiC se reflejan principalmente en cinco aspectos:la alta intensidad del campo eléctrico de descomposición crítica del material SiC permite al dispositivo operar a voltajes más altos al tiempo que reduce el espesor de la región de deriva, lo que reduce la resistencia de encendido; en segundo lugar, la característica prohibida del SiC (3,26 eV) de ancho de banda amplio permite que el dispositivo funcione a temperaturas más altas (superiores a 200 °C),que reduce la complejidad del sistema de disipación de calorEn tercer lugar, los dispositivos SiC no tienen prácticamente ninguna corriente de recuperación inversa, lo que reduce drásticamente las pérdidas de conmutación y permite un funcionamiento de mayor frecuencia.la excelente conductividad térmica (alrededor de tres veces la del silicio) mejora la densidad de potencia y permite un sistema más compactoPor último, la mejora de la eficiencia general del sistema reduce el consumo de energía y los requisitos de disipación de calor, lo que resulta en un ciclo virtuoso.módulos de SiC puro y módulos híbridos de Si/SiC, con niveles de voltaje de 1200V y 1200V. Los niveles de voltaje son principalmente 1200V y 1700V para satisfacer las necesidades de aplicaciones de alto voltaje.