La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.Suministra semiconductores Alfa y Omega originales y nuevos.AON6407P-canal de energía MOSFETs y ofrece servicios de recompra de alto valor para las unidades usadas.Este producto combina la tecnología MOSFET avanzada de zanja con un paquete DFN de baja resistencia para lograr una resistencia extremadamente baja, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta corriente como el cambio de carga y la protección de la batería.
AON6407Especificaciones del producto:
Tipo de producto: MOSFET de potencia de canal P
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor (AOS/Bandai EE.UU.)
Plataforma tecnológica: tecnología MOSFET avanzada de zanja
Válvulas de tensión nominal (VDS): -30V
Corriente de drenaje continuo (ID): -32A (Ta=25°C) / -85A (Tc=25°C)
Corriente de descarga de pulso: -200A
La resistencia de encendido (RDS ((on)): < 4,5 mΩ @ VGS=-10V, ID=-20A
El valor de la corriente emitida por el conductor será igual o superior a la corriente emitida por el conductor.
La tensión de la fuente de entrada (VGS): ±25V
La tensión de umbral (VGS ((th)): -1,6V ~ -2,6V (típico: -2,1V)
Disposición de energía (Ptot): 7,3 W (Ta=25°C) / 83 W (Tc=25°C)
La capacidad de entrada (Ciss): 3505pF @ VDS=-15V
Capacidad de salida (Coss): 900 pF
Capacidad de acoplamiento cruzado (Crss): 650 pF
Carga total de la puerta (Qg): de 75 nC a 105 nC @ VGS = -10 V
Tiempo de conmutación: retraso de encendido 14 ns / retraso de apagado 94 ns
Tiempo de recuperación inversa del diodo de cuerpo (Trr): 35 ns
Energía de avalancha (EAS): 101 mJ
Intervalo de temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C (TJ)
Tipo de envase: DFN5×6-8L (8 pines, 5×6 mm)
Tipo de montaje: montaje en superficie (SMD)
AON6407Características del producto:
Resistencia de encendido ultrabaja: RDS(encendido) < 4,5 mΩ a VGS = -10 V y < 6,0 mΩ a VGS = -6 V, reduciendo significativamente la disipación de potencia en estado activo
Capacidad de alta corriente: corriente de drenaje continua de hasta 85 A (temperatura del caso 25 °C) y corriente de pulso de hasta 200 A, que satisface las demandas de aplicaciones de alta corriente
Paquete compacto: el paquete DFN5 × 6-8L de montaje superficial ahorra espacio en PCB y es adecuado para diseños de alta densidad
Características de conmutación rápida: retraso de encendido de sólo 14 ns y retraso de apagado de 94 ns, soportando aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Excelente rendimiento térmico: resistencia térmica de unión a caja tan baja como 1,1 °C/W, soportando una disipación de energía de 83W
Alta fiabilidad: certificado de grado industrial, con un amplio rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +150°C
AON6407Áreas de aplicación:
Cambio de carga
Circuitos de protección de las baterías
Conversores de corriente continua
Rectificadores sincrónicos
Control de la transmisión del motor
Sistemas de gestión de energía
Electrónica automotriz (unidades de gestión de baterías, regulación de potencia)
Como proveedor profesional de componentes electrónicos, Mingjiada Electronics ofrece un suministro estable y a largo plazo de MOSFET de canal P originales AOS AON6407 y ofrece servicios de recompra de alto valor.Damos la bienvenida a las consultas relativas a la adquisición o las asociaciones de recompra!
¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!
Spanish
