Blog de la compañía Suministro y reciclaje PUOLOP PTQ45P02 Transistor MOSFET de alta eficiencia de 20V 45A de canal P

Suministro/Reciclaje PUOLOPPTQ45P02Transistor MOSFET de potencia de canal P de alta eficiencia de 20 V y 45 A

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.se ha establecido como líder en el reciclaje y la distribución de componentes electrónicos a través de su extensa cartera de productos, su perspectiva global y sus servicios profesionales.

La empresa suministra y recicla el PTQ45P02: un MOSFET de potencia de canal P de alta eficiencia diseñado para potenciar la gestión de energía en dispositivos portátiles.

La ventaja competitiva del PTQ45P02 es un transistor MOSFET de potencia de canal P avanzado diseñado para abordar estos desafíos. Con su voltaje de ruptura de 20 V, su capacidad de manejo de corriente de 45 A y su soporte perfecto para niveles lógicos bajos de 1,8 V, se ha convertido en un componente central en interruptores de carga de alta gama, sistemas de gestión de baterías y aplicaciones similares.

I. Características principales del PTQ45P02:

El PTQ45P02 es un MOSFET de potencia de canal P avanzado diseñado específicamente para aplicaciones exigentes de conmutación de potencia. Los MOSFET de canal P se emplean con frecuencia como interruptores de lado alto en circuitos de potencia (conectando la fuente de alimentación a la carga), una configuración que simplifica la circuitería del controlador y ofrece distintas ventajas en sistemas controlados por lógica de bajo voltaje.

La ventaja competitiva del PTQ45P02 reside en sus parámetros eléctricos clave:

Altas clasificaciones de corriente y voltaje: Admite un voltaje drenaje-fuente (Vdss) de 20 V y una corriente de drenaje continua (Id) de hasta 45 A. Esta especificación le permite manejar corrientes de irrupción con facilidad en aplicaciones de alta densidad de potencia, como fuentes de alimentación móviles, aviones RC y accionamientos de motores de alta corriente.

Eficiencia de conmutación excepcional: Su voltaje de umbral de puerta (Vgs(th)) es tan bajo como 400 mV, lo que permite una conmutación confiable con voltajes de control extremadamente bajos (hasta niveles lógicos de 1,8 V). Esta característica permite la interfaz directa con microprocesadores modernos, DSP o ASIC de bajo voltaje sin circuitos adicionales de cambio de nivel, lo que ahorra espacio y reduce la complejidad del sistema.

Rendimiento dinámico optimizado: El dispositivo presenta una capacitancia de entrada (Ciss) de 3,5 nF y una capacitancia de transferencia inversa (Crss) de 445 pF. Estos bajos valores de capacitancia requieren menos carga para el accionamiento de la puerta durante la conmutación de alta velocidad, lo que reduce significativamente las pérdidas de conmutación y mejora la eficiencia general del sistema. Esto lo hace particularmente adecuado para aplicaciones PWM de alta frecuencia.

II. Especificaciones del PTQ45P02:

Tipo de transistor MOSFET

Tipo de canal de control Canal P

Pd - Disipación de potencia máxima 35 W

Vds - Voltaje máximo drenaje-fuente 20 V

Vgs - Voltaje máximo puerta-fuente 12 V

Id - Corriente máxima de drenaje 45 A

Tj - Temperatura máxima de unión 150 °C

Vgs(th) - Voltaje de puerta de umbral máximo 1 V

Qg - Carga total de puerta 55 nC

tr - Tiempo de subida 42 nS

Coss - Capacitancia de salida 577 pF

III. Aspectos técnicos destacados del PTQ45P02:

Compatibilidad excepcional con el accionamiento de nivel lógico de 1,8 V

Esto representa la ventaja más significativa del PTQ45P02. Los MOSFET tradicionales normalmente requieren voltajes de puerta más altos (por ejemplo, 4,5 V o 10 V) para una conducción completa, mientras que el PTQ45P02 logra una conmutación eficiente con solo 1,8 V. Esto permite una integración perfecta con microprocesadores de baja potencia, SoC y chips de lógica digital convencionales sin circuitos adicionales de cambio de nivel. En consecuencia, simplifica el diseño, reduce los costos y minimiza el recuento de componentes y los posibles puntos de falla.

Empaquetado optimizado y gestión eficiente de la energía

Su paquete de montaje en superficie PDFN3333 ofrece un excelente rendimiento térmico, lo que facilita la rápida disipación del calor del chip a la PCB y mejora la fiabilidad del sistema. Combinado con sus características de baja resistencia en estado activo, esto da como resultado una disipación de potencia excepcionalmente baja durante la operación de conmutación, lo que lo hace ideal para dispositivos portátiles críticos para la eficiencia.

IV. Escenarios de aplicación del PTQ45P02

Las características de rendimiento del PTQ45P02 permiten un rendimiento excepcional en múltiples campos de vanguardia:

Conmutación de carga de alta gama y gestión de energía: Esta representa su aplicación más clásica. Dentro de la ruta de alimentación principal de dispositivos portátiles como teléfonos móviles, tabletas y drones, el PTQ45P02 funciona como una ‘puerta de alimentación’ eficiente. Sus características de canal P permiten la colocación entre el terminal positivo de la fuente de alimentación y la carga. El control directo de la fuente de alimentación a módulos individuales se logra a través de señales GPIO de bajo voltaje, lo que permite una gestión precisa de la energía.

Protección de batería y circuitos de conmutación: En dispositivos alimentados por batería, como bancos de energía y herramientas eléctricas, este MOSFET es la opción ideal para construir interruptores de control de descarga dentro de los sistemas de gestión de baterías (BMS). Sus bajas pérdidas de conducción minimizan la disipación de energía, lo que prolonga la duración de la batería del dispositivo.

Accionamiento de motor y ESC para modelos RC: Para motores sin escobillas utilizados en aviones RC y pequeños robots, los controladores electrónicos de velocidad (ESC) requieren interruptores de alimentación capaces de una respuesta rápida y una conmutación eficiente. La alta capacidad de corriente del PTQ45P02 y sus características de conmutación rápida facilitan un control del motor más preciso y eficiente.

VRM de placa base y convertidores CC-CC: Dentro de las placas base de computadora o servidores, ciertos circuitos de generación de voltaje no centrales también emplean MOSFET de canal P como interruptores superiores, emparejados con interruptores inferiores de canal N para formar arquitecturas de rectificación síncrona. El PTQ45P02 ofrece una conversión de energía eficiente en tales diseños.