Blog de la compañía Suministro Renesas AT45DB081E-SHN-T DataFlash 8Mbit SPI Serial NOR IC de memoria flash

Renesas de suministroLos datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.DataFlash 8Mbit SPI Serial NOR IC de memoria flash

[La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.]Suministro a largo plazo (Renesas)Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.8Mbit DataFlash ¥1.7V a 3.6V Rango, SPI Serial NOR IC de memoria flash. A continuación se muestra la información del producto para AT45DB081E-SHN-T DataFlash:

Número de la parte:Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.

Paquete: SOIC-8

Tipo: DataFlash SPI en serie o IC de memoria flash

AT45DB081E-SHN-T DataFlash is a member of our System Enhancing class of code and data storage solutions designed with an advanced dual SRAM buffer architecture that makes it the most efficient memory for data logging.

AT45DB081E-SHN-T también incorpora un conjunto de características avanzadas que ahorran energía del sistema, reducen la sobrecarga del procesador, simplifican el desarrollo de software,y proporcionar opciones integrales de seguridad e integridad de datos.

Atributos del productoLos datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.

Tipo de memoria: no volátil
Formato de memoria: Flash
Tecnología: FLASH
Tamaño de la memoria: 8Mbit
Organización de la memoria: 264 bytes x 4096 páginas
Interfaz de memoria: SPI
Frecuencia de reloj: 85 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página: 8μs, 4ms
Voltado - Alimentación: 1,7 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento: -40 °C ~ 85 °C (TC)
Tipo de montaje: montaje de superficie
Envase / estuche: 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de ancho)
Paquete de dispositivos del proveedor: 8-SOIC

Características del AT45DB081E-SHN-T

●Alimentación única de 1,7 V - 3,6 V
●Interfaz periférica en serie (SPI) compatible
- Soporta los modos SPI 0 y 3
- Apoya la operación RapidS"M
●Capacidad de lectura continua en toda la matriz
- Hasta 85 MHz
- Opción de lectura de baja potencia hasta 15 MHz
- Tiempo de reloj a salida (tv) de 6 ns como máximo
●Tamaño de página configurable por el usuario
- 256 bytes por página
- 264 bytes por página (por defecto)
- El tamaño de la página puede ser preconfigurado en fábrica para 256 bytes
●Dos búferes de datos SRAM totalmente independientes (256/264 bytes)
- Permite recibir datos mientras se reprograma la matriz de memoria principal
●Opciones de programación flexibles
- Byte/Page Program (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal
- Escribir en el búfer
- Buffer al programa de la página de la memoria principal
●Opciones de borrado flexibles
- Borrar página (256/264 bytes)
- Borrar bloqueos (2 kB)
- Borrar sectores (64 kB)
- Borrar el chip (8 Mbits)
●Programa y borrar Suspender/reanudar
●Funciones avanzadas de hardware y software para la protección de datos
- Protección del sector individual
- Bloqueo de sectores individuales para hacer que cualquier sector sea de solo lectura permanentemente
●128 bytes, registro de seguridad programable de una sola vez (OTP)
- 64 bytes de fábrica programados con un identificador único
- 64 bytes programable por el usuario
●Opciones de reinicio controladas por hardware y software
●Lectura del fabricante y el ID del dispositivo según el estándar JEDEC
●Baja disipación de energía
- 400 nA de corriente de baja potencia ultra-profunda (típica)
- 4,5 μA de corriente baja de potencia profunda (típica)
- corriente de espera de 25 μA (típica)
- 11 mA de corriente de lectura activa (típicamente a 20 MHz)
●Duración: 100.000 ciclos de programación/borrado por página como mínimo
●Retención de los datos: 20 años
●Cumple con todo el rango de temperatura industrial

AT45DB081E-SHN-T es una memoria flash de acceso secuencial de interfaz serie de 1,7 V ideal para una amplia variedad de aplicaciones de voz digital, imagen, código de programa y almacenamiento de datos.

AT45DB081E-SHN-T también admite la interfaz serial RapidS para aplicaciones que requieren un funcionamiento de muy alta velocidad.650,752 bits de memoria están organizados como 4.096 páginas de 256 bytes o 264 bytes cada una.

Además de la memoria principal, el AT45DB081E-SHN-T también contiene dos búferes SRAM de 256/264 bytes cada uno.El entrelazamiento entre ambos búferes puede aumentar drásticamente la capacidad de un sistema para escribir un flujo de datos continuoAdemás, los búferes SRAM se pueden utilizar como memoria de scratch pad adicional del sistema,y la emulación E2PROM (alterabilidad de bits o bytes) se puede manejar fácilmente con una operación de lectura-modificación-escritura de tres pasos independiente.

AT45DB081E-SHN-T?? A diferencia de las memorias Flash convencionales que se acceden al azar con múltiples líneas de dirección y una interfaz paralela,el DataFlash@ utiliza una interfaz serial para acceder secuencialmente a sus datosEl simple acceso secuencial reduce drásticamente el número de pines activos, facilita el diseño de hardware simplificado, aumenta la confiabilidad del sistema, minimiza el ruido de conmutación y reduce el tamaño del paquete.El AT45DB081E-SHN-T está optimizado para su uso en muchas aplicaciones comerciales e industriales donde, bajo número de pines, bajo voltaje y baja potencia son esenciales.

Características clave del AT45DB081E-SHN-T

Incluye un amortiguador SRAM R/W controlable para una máxima flexibilidad
Arquitectura de bloques estándar con borrado de página de 256 bytes añadido para el registro de datos de bajo consumo
El byte-write proporciona la funcionalidad EEPROM en serie en un dispositivo flash en serie o no
El desacoplamiento de energía ultraprofundo funciona a > 400nA
El funcionamiento extendido de Vcc permite que la memoria del sistema funcione en todo el rango de voltaje
Seguridad integral y características de identificación únicas protegen el dispositivo de la manipulación externa

Diagrama de bloque de AT45DB081E-SHN-T

Mingjiada Electrónicaha estado suministrando Flash de datosLos datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.Para obtener más información sobre la memoria AT45DB081E-SHN-T, visite el sitio web oficial de Mingjiada Electronics (El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.)).