Suministro de Discritos de energía de Renesas: Discritos de energía GaN, MOSFETs de energía
La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.es un proveedor líder en la industria de componentes electrónicos,aprovechando su amplia experiencia en la industria y sus recursos globales de la cadena de suministro para proporcionar servicios de suministro de componentes electrónicos de alta calidad a clientes de todo el mundo..
Los productos principales incluyen:Los chips 5G, los circuitos integrados de nueva energía, los circuitos integrados de IoT, los circuitos integrados Bluetooth, los circuitos integrados de redes de vehículos, los circuitos integrados de grado automotriz, los circuitos integrados de comunicación, los circuitos integrados de inteligencia artificial, los circuitos integrados de memoria, los circuitos integrados de sensores, los circuitos integrados de microcontroladores,circuitos integrados de transceptores, IC Ethernet, chips WiFi, módulos de comunicación inalámbrica, conectores y otros componentes electrónicos.
Ventajas del suministro:
Aseguramiento de la calidad: todos los modelos proceden de fabricantes originales o distribuidores autorizados, con servicios completos de certificación del fabricante original y trazabilidad de la calidad.
Adquisición flexible: Apoya la adquisición de muestras de pequeños lotes y los pedidos de gran volumen, ofreciendo estrategias de precios competitivos.
Entrega rápida: aprovechando su sede en Shenzhen y su red logística global, garantizando una respuesta rápida a los pedidos y una entrega oportuna.
Los dispositivos Power Discrete de Renesas se centran en aplicaciones de potencia media a alta en infraestructura, automóviles e industriales.
Discretos de energía GaN
FET de nitruro de galio (GaN) para aplicaciones de alta frecuencia de conmutación y alta densidad
Renesas es pionera en los transistores de alta movilidad electrónica de nitruro de galio de potencia (GaN HEMT), que ofrecen soluciones confiables y de alto rendimiento en una amplia gama de aplicaciones,de una potencia de 25 W a 10 kWCon más de 20 millones de dispositivos de alta y baja potencia enviados, nuestros productos han acumulado colectivamente más de 300 mil millones de horas de operación en el campo.Estos logros están impulsados por una arquitectura única y fundamentalmente superior que aprovecha los beneficios de rendimiento inherentes de GaN.
MOSFETs de potencia
MOSFET para baja resistencia de encendido, conmutación de alta velocidad y alta robustez
Los Power MOSFET de Renesas apoyan la miniaturización y la alta eficiencia de los sistemas.con una capacidad de transmisión superior a 20 W,Por otra parte, Renesas se compromete a aumentar la capacidad de producción con la creación de una nueva línea de 12 pulgadas, con el fin de lograr un suministro estable.
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