Suministro de IC de interruptor de lado bajo ST , Suministro VND5N07TR OMNIFET II Serie MOSFET de potencia totalmente autoprotegido
VND5N07TR OMNIFET II: Solución de interruptor de lado bajo MOSFET de potencia con protección totalmente automática
VND5N07TR Descripción general del producto y características clave:
El VND5N07TR es un interruptor de potencia inteligente de un solo canal basado en la tecnología VIPower M0-3 de STMicroelectronics, empaquetado en un encapsulado de montaje en superficie DPAK (TO-252-3). El VND5N07TR integra un MOSFET de potencia de canal N, lógica de accionamiento y módulos de funcionalidad de protección completos, lo que permite la sustitución directa de las soluciones MOSFET tradicionales.
La característica innovadora del VND5N07TR reside en su arquitectura de 'autoprotección', que permite la protección contra múltiples fallos sin necesidad de circuitos de monitorización externos, simplificando significativamente el diseño del sistema.
El dispositivo VND5N07TR funciona dentro de un rango de temperatura de -40°C a +150°C y cumple con el estándar de certificación de grado automotriz AEC-Q101, lo que garantiza un funcionamiento estable en entornos hostiles.
El diseño del encapsulado del VND5N07TR optimiza el rendimiento térmico, con una capacidad de disipación de potencia de 60W, lo que le permite manejar cargas de corriente de alto impacto. El producto VND5N07TR se empaqueta en formato de cinta y carrete (TR), lo que lo hace adecuado para líneas de producción SMT automatizadas y mejora la eficiencia de la fabricación a gran escala.
VND5N07TR Especificaciones técnicas detalladas
El VND5N07TR logra un equilibrio preciso en el rendimiento eléctrico, cumpliendo con los requisitos de manejo de alta potencia mientras mantiene características de baja pérdida. Los siguientes son los parámetros técnicos principales del VND5N07TR:
Características de voltaje
Tensión de carga: 55V
Tensión de ruptura drenaje-fuente: 70V
Características de corriente
Corriente de salida continua: 3.5A
Corriente de salida pico: 5.0A
Umbral de límite de corriente: 5.0A
Características de conducción
Resistencia de conducción: 200mΩ
Carga de puerta: 18nC
Características de conmutación
Tiempo de retardo de encendido típico: 50-150ns
Tiempo de retardo de apagado típico: 150-3900ns
Rendimiento térmico
Disipación de potencia: 60W
Temperatura de unión de funcionamiento: -40~+150°C
La resistencia en estado de encendido típica del VND5N07TR es de solo 200 mΩ (máximo), lo que resulta en una disipación de potencia en estado de encendido de solo 5 W bajo una condición de carga de 5 A, lo que reduce significativamente la complejidad de la gestión térmica del sistema. El tiempo de conmutación del dispositivo VND5N07TR se ha optimizado, con un tiempo de subida de 60–400 ns y un tiempo de caída de 40–1100 ns, equilibrando las pérdidas de conmutación con el rendimiento EMI.
Cabe destacar que el producto VND5N07TR utiliza lógica de entrada no inversora (activación de alto nivel), lo que permite la conducción directa a niveles CMOS/TTL de 3V a 5V sin necesidad de circuitos de conversión de nivel adicionales. Su corriente estática es extremadamente baja, lo que lo hace particularmente adecuado para aplicaciones alimentadas por batería
Diagrama de bloques VND5N07TR:
VND5N07TR es un dispositivo monolítico diseñado con la tecnología STMicroelectronics®VIPower®M0, destinado a la sustitución de MOSFET de potencia estándar de aplicaciones de CC a 50 KHz. El VND5N07TR con apagado térmico incorporado, limitación de corriente lineal y abrazadera de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles. La retroalimentación de fallos del VND5N07TR se puede detectar mediante la monitorización del voltaje en el pin de entrada.
【Mingjiada Electronics】ha estado suministrando ST (VND5N07TR) MOSFET de potencia de protección totalmente automática de la serie OMNIFET II™ durante mucho tiempo. Para obtener más información sobre el producto VND5N07TR o consultas de precios, visite el sitio web oficial de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) para obtener más detalles.
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