Transistores de potencia ST de suministro:IGBT, Potencia bipolar, Potencia MOSFET, Potencia GaN, SiC MOSFET
Como un distribuidor reconocido de componentes electrónicos,La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.posee puntos fuertes fundamentales, entre los que se incluyen canales globales de abastecimiento de productos originales, un stock de más de 2 millones de unidades de producción, capacidades de entrega rápida y servicios técnicos y de cadena de suministro completos.Somos capaces de resolver de manera eficiente los desafíos de adquisición de componentes durante las fases de I + D y producción en masa.
¢Ventajas del inventario y de la entrega
Extenso inventario: mantenemos más de 2 millones de SKU en stock, que cubren componentes de uso general, nicho, escasos, de grado automotriz e industrial,eliminando así por completo los dolores de cabeza de las adquisiciones.
Respuesta y entrega rápidas: los pedidos estándar se envían dentro de 1 a 3 días; los pedidos urgentes nacionales se envían dentro de 4 horas / se responden dentro de 24 horas;Los almacenes duales en Hong Kong y Shenzhen garantizan operaciones logísticas eficientes.
Soluciones flexibles de contratación pública: apoyo a las solicitudes de muestras, ensayos de lotes pequeños y compras a granel, que abarcan todo el ciclo de vida, desde la I+D hasta la producción en masa.
I. IGBT (transistor bipolar de puerta aislada)
Posicionamiento central
La opción preferida para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente, combinando el control de voltaje de los MOSFET con la baja caída de voltaje en estado de los transistores bipolares,convirtiéndolos en los principales dispositivos de potencia para los sectores industrial y de las nuevas energías.
Características clave
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Pérdida de conducción: baja VCE (SAT) (caída de voltaje de saturación), reduciendo significativamente la pérdida de conducción
Características de conmutación: energía de apagado optimizada, suprimiendo la disipación de energía causada por el aumento de la temperatura
Método de accionamiento: controlado por voltaje (simples accionamiento por puerta), no se requiere una alta corriente de base
El paquete: TO-247, TO-3P, módulos (ACEPACK, SLLIMM IPM)
Serie típica de productos
Serie V (600V): 50 ̊100 kHz, adecuado para soldadura y PFC
Serie HB/HB2 (650V): 16 ∼ 60 kHz, adecuado para energía solar, UPS, estaciones de carga
Serie M/MH (650V/750V): 2 ∼20 kHz, adecuado para el control del motor, la tracción de automóviles
Escenarios de aplicación
Industria: Inversores, UPS, soldadura y calefacción por inducción
Nueva energía: inversores fotovoltaicos, convertidores de almacenamiento de energía, estaciones de carga
Automóviles: Inversores de tracción, OBC (cargadores integrados)
II. Transistores de unión bipolar de potencia (BJT)
Posicionamiento central
Dispositivos clásicos de corriente, con tecnología madura y bajo costo, adecuados para aplicaciones de baja/media tensión, baja velocidad y alta tensión.
Características clave
Intervalo de tensión: 15V1700V (incluidas las configuraciones Darlington)
Método de accionamiento: accionado por corriente (requiere corriente base continua)
Características de conducción: bajo voltaje de saturación, baja disipación de potencia a altas corrientes
Limitaciones: velocidad de conmutación lenta (<50 kHz), altas pérdidas de accionamiento; gradualmente siendo reemplazados por MOSFETs/IGBTs
Productos típicos
Transistores de Darlington: ganancia de corriente alta (β > 1000), adecuados para la amplificación de corriente alta
BJT de alto voltaje: 1200V/1700V, adecuados para fuentes de alimentación lineal y amplificadores de potencia de audio
Escenarios de aplicación
Fuentes de alimentación lineal heredadas, amplificación de potencia de audio
Motor de baja tensión, control industrial (baja velocidad)
III. MOSFET de potencia (basados en silicio)
Posicionamiento central
El rey de las aplicaciones de alta frecuencia de media y baja tensión; impulsado por voltaje, velocidad de conmutación extremadamente rápida, bajas pérdidas; el dispositivo de conmutación convencional para electrónica de consumo y nueva energía.
Características clave
Variación de tensión: -100V a 1700V (tensión baja: -100V a 120V; tensión alta: 250V a 1700V)
Ventajas principales:
Baja carga de la puerta (Qg), baja resistencia de encendido (Rds(on))
Frecuencia de cambio: de 100 kHz a 10 MHz
Circuito de accionamiento simple impulsado por voltaje, pérdidas extremadamente bajas
Tecnologías: MDmesh, StripFET, DMOS y Planar
Serie típica de productos
Bajo voltaje (-100V a 120V): serie STP (por ejemplo, STP80NF70), serie STL
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable.
Escenarios de aplicación
Electrónica de consumo: carga rápida de teléfonos móviles, fuentes de alimentación para portátiles, adaptadores
Industria: Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), controladores LED, control del motor
Automotriz: OBC, DC-DC, control del cuerpo
IV. GaN de potencia (nitruro de galio)
Posicionamiento central
Ultra alta frecuencia, alta eficiencia, alta densidad de potencia; representativo de los semiconductores de tercera generación; dirigido a la carga rápida de alta frecuencia, los centros de datos y la nueva energía.
Características clave
Variación de tensión: 100V/650V (corriente principal 650V)
Ventajas principales:
Frecuencia de conmutación de 1MHz+, reduciendo significativamente el tamaño de los inductores y condensadores
Pérdidas de encendido y de conmutación extremadamente bajas
Densidad de energía aumentada en un 30%+, lo que resulta en una menor huella del sistema
Tecnología: GaN-on-Si (nitruro de galio sobre silicio), HEMT en modo de mejora
Productos típicos
650V GaN: serie STGaN (por ejemplo, STGAP2HS)
100 V GaN: Apto para aplicaciones de baja tensión y alta frecuencia y carga rápida
Escenarios de aplicación
Electrónica de consumo: carga rápida de 65W ≈ 300W, cargadores GaN
Centros de datos: Fuentes de alimentación de servidores, convertidores de corriente continua a corriente continua de 48 V
Nuevas energías: cargadores a bordo, inversores de alta frecuencia
V. SiC MOSFET (carburo de silicio)
Posicionamiento central
Alta tensión, alta temperatura, eficiencia ultra alta; el punto de referencia para semiconductores de tercera generación, dirigidos a vehículos de nueva energía,aplicaciones industriales de alto voltaje y almacenamiento de energía fotovoltaica.
Características clave
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable.
Ventajas principales:
Resistencia a altas temperaturas (Tj=200°C), bajos requisitos de gestión térmica
Frecuencia de conmutación 100kHz1MHz, pérdidas 50%+ más bajas que las IGBT de silicio
Resistencia de encendido extremadamente baja, pérdidas mínimas en condiciones de alta tensión y alta corriente
Alta conductividad térmica (3 veces la del silicio), lo que permite sistemas de gestión térmica más compactos
Los paquetes: TO-247, HiP247, H2PAK-7, STPAK
Serie típica de productos
Serie G3 (650V/1200V): grado industrial/automotriz, baja pérdida, alta fiabilidad
1700V/2200V: Apto para almacenamiento de energía de alto voltaje e inversores fotovoltaicos
Escenarios de aplicación
Vehículos de nueva energía: inversores de tracción, OBC, CC-CC de alto voltaje
Industria: Inversores fotovoltaicos, convertidores de almacenamiento de energía, estaciones de carga
Red eléctrica: UPS de alto voltaje, gestión de la calidad de la energía
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