Blog de la compañía Transistores de los MOSFETs del canal N de la fuente TK10A80E, chips CI de la fuente, módulos de poder, sensores, transmisor-receptor ICs

Transistores de los MOSFETs del canal N de la fuente TK10A80E, chips CI de la fuente, módulos de poder, sensores, transmisor-receptor ICs

Transistores de los MOSFETs del canal N de la fuente TK10A80E

TK10A80E es transistores de los MOSFETs del canal N del silicio, a través de agujero, TO-220SIS.

Características
En-resistencia baja de la dren-fuente: RDS (ENCENDIDO) = 0,7 Ω (tipo.)
Corriente baja de la salida: IDSS = µA 10 (máximo) (VDS = 640 V)
Modo del aumento: Vth = 2,5 a 4,0 V (VDS = 10 V, identificaciones = 1 mA)

Usos
Reguladores de voltaje que cambian

Electrónica Co., Ltd. (otros componentes electrónicos de Shenzhen Mingjiada en existencia)

FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.