Blog de la compañía Suministro de transistores, Mingjiada suministra transistores MOSFET de potencia Infineon, transistores IGBT, transistores de carburo de silicio

Transistores de suministro, Transistores de carburo de silicio

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.- Proveedor a largo plazo de transistores de [Infineon], incluidos, entre otros: transistores MOSFET de potencia, transistores IGBT, dispositivos de carburo de silicio (SiC) y otros productos.Mingjiada Electronics suministra transistores Infineon que cubren tanto las rutas de tecnología basadas en silicio (Si) como en carburo de silicio (SiC), satisfaciendo los requisitos de escenarios completos desde la electrónica de consumo hasta las aplicaciones de automoción.

Transistores MOSFET de potencia
1MOSFET de alta tensión de grado industrial
IRFP4110PBF: paquete TO-247, especificación 100V/180A, resistencia de encendido tan baja como 3,7mΩ, adecuado para sistemas UPS y fuentes de alimentación de conmutación de alta corriente.
IRFB3306PBF: paquete TO-220, 60V/160A, carga de puerta de sólo 85nC, optimizado para circuitos de rectificación síncrono en las fuentes de alimentación de los servidores.
2Dispositivos de tecnología OptiMOSTM de próxima generación
BSZ440N10NS3G: 100V/70A, paquete TO-263, resistencia de encendido ultrabaja (4.4mΩ), optimizado para convertidores CC-CC y herramientas eléctricas.
BSC052N08NS5: paquete SuperSO8, 80V/100A, densidad de potencia aumentada en un 30%, para módulos OBC de vehículos de nueva energía.

Transistores IGBT de Infineon
1. IGBT de grado automotriz: compatibles con las normas AEC-Q101, que admiten rangos de voltaje de 650V a 1200V para sistemas de tren motriz de vehículos eléctricos y estaciones de carga.
2Modulos industriales: diodos integrados de rueda libre, adecuados para inversores fotovoltaicos y convertidores de frecuencia industriales, con una alta capacidad de sobrecarga y estabilidad térmica.

Dispositivos de carburo de silicio (SiC)
1. CoolSiCTM MOSFET: la serie 1200V admite un funcionamiento a altas temperaturas de 200°C, reduciendo las pérdidas de conmutación en un 60%, para inversores solares y fuentes de alimentación de centros de datos.
2Diodos de barrera SiC Schottky: 650V La serie Rapid logra características de recuperación suave, reduciendo significativamente la radiación EMI, adecuada para aplicaciones de alta frecuencia de 40-100 kHz.

Aseguramiento de la calidad: Mingjiada Electronics mantiene canales de suministro sólidos y confiables con una estricta gestión de la cadena de suministro, lo que garantiza la estabilidad y fiabilidad del producto.
Disponibilidad de existencias adecuadas: Mingjiada Electronics tiene un inventario sustancial de transistores de [Infineon], que se adapta tanto a las solicitudes de muestras de pequeños lotes como a las necesidades de compras de gran volumen.
Entrega rápida: Aprovechando un sistema logístico eficiente, Mingjiada Electronics asegura la entrega rápida de productos a los clientes.

Además, Mingjiada Electronics mantiene el suministro a largo plazo de otras series de chips electrónicos, incluidos: chips 5G, ICs de nueva energía, ICs IoT, ICs Bluetooth, ICs telemáticos, ICs de grado automotriz,circuitos integrados de comunicación, ICs de IA, ICs de memoria, ICs de sensores, ICs de microcontroladores, ICs de transceptores, ICs de Ethernet, chips WiFi y conectores.

Para obtener más detalles sobre los productos de transistores de Infineon o para consultar los precios de los modelos específicos, visite el sitio web oficial de Mingjiada Electronics (El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.) para explorar la información sobre el suministro.