Blog de la compañía El campo del foso del transistor IGBT FGA40T65SHD IGBT para microprocesadores del automóvil de TO-3PN

El campo del foso del transistor IGBT FGA40T65SHD IGBT para microprocesadores del automóvil de TO-3PN

Descripción de producto de FGA40T65SHD

FGA40T65SHD es el transistor IGBT - 650V, parada de campo del foso de 40A IGBT, el paquete es TO-3P-3, SC-65-3 (a través del agujero).

Especificación de FGA40T65SHD

Características de FGA40T65SHD

• Carga de la puerta: 72,2 nC
• TD (con./desc.) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
• Condición de prueba: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
• Tiempo de recuperación reversa (trr): 31,8 ns
• Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)

Foto del paquete de FGA40T65SHD

FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.