Mingjiada Electronics ofrece el C3M0120065L en stock. Este MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 650V de Wolfspeed utiliza un avanzado paquete TOLL, cuenta con certificación de grado industrial y opera dentro de un amplio rango de temperatura de -40°C a +175°C.
Como un excelente ejemplo de la tecnología MOSFET de SiC de tercera generación de Wolfspeed, el C3M0120065L logra una optimización significativa en las pérdidas de conducción, el rendimiento de conmutación y la densidad de potencia.
C3M0120065L Características principales
El C3M0120065L logra una resistencia ultra baja en estado de conducción dentro de la plataforma de voltaje de 650V, con un valor típico de solo 12mΩ (a V_GS=18V, I_D=20A), soportando corrientes de drenaje continuas de hasta 118A (a 25°C, T_C=100°C).
Baja resistencia en estado de conducción: 157mΩ (máximo) @ 6.76A, 15V
Alto voltaje de ruptura: 650V
Rendimiento de conmutación rápido: Carga de puerta (Qg) solo 26nC @ 15V
Capacidad de alta temperatura: Rango de temperatura de unión -40°C a +175°C
Voltaje de accionamiento de grado industrial: +15V/-5V (recomendado), máximo ±19V/-8V
El C3M0120065L en paquete TOLL (TO-263-7) no solo ofrece baja resistencia térmica y baja inductancia de plomo, sino que también incorpora un diseño de conexión de fuente Kelvin, reduciendo significativamente las pérdidas de conmutación y suprimiendo el timbre de la puerta.
C3M0120065L Ventajas técnicas
Desarrollado en la plataforma tecnológica MOSFET de SiC de tercera generación de Wolfspeed, el C3M0120065L ofrece una eficiencia general del sistema excepcional y capacidad de operación de alta frecuencia.
Su robusto diodo de cuerpo presenta una carga de recuperación inversa extremadamente baja (típica 66nC), reduciendo sustancialmente las pérdidas de conmutación y mejorando la fiabilidad del sistema.
En comparación con los MOSFET basados en silicio tradicionales, el C3M0120065L exhibe características de resistencia en estado de conducción más estables y baja capacitancia parásita en todo el rango de temperatura, lo que facilita diseños de alta densidad de potencia.
C3M0120065L Atributos del producto
Fabricante: Wolfspeed
Tipo de producto: MOSFET de carburo de silicio
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Carcasa: TOLL
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente: 650 V
Id - Corriente de drenaje continua: 21 A
Rds On - Resistencia en estado de conducción del drenaje: 157 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente: -8 V, +19 V
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente: 3.6 V
Qg - Carga de puerta: 26 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -40°C
Temperatura máxima de funcionamiento: +175°C
Pd - Disipación de potencia: 86 W
Modo de canal: Mejora
Áreas de aplicación
El C3M0120065L es ideal para las siguientes aplicaciones:
Fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones
Sistemas de carga de vehículos eléctricos (cargadores a bordo (OBC), convertidores CC-CC de alto voltaje)
Sistemas de almacenamiento de energía (UPS, sistemas de gestión de baterías)
Inversores solares
Fuentes de alimentación industriales
Información de adquisición
Mingjiada Electronics garantiza que el C3M0120065L es nuevo y original, con amplio stock disponible para envío el mismo día.
El C3M0120065L se empaqueta en formatos de cinta y carrete (TR) y corte a medida (CT), con cantidades mínimas de pedido flexibles y muestras disponibles.
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