logo
  • Spanish
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Hindi
    Turkish
    Indonesian
    Vietnamese
    Thai
    Bengali
    Persian
    Polish
Solicitar una cotización |
Inicio ProductosGaN IC

MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic

Todos los productos

Microprocesador del circuito integrado

(19225)

BT IC

(544)

Módulos automotrices de IGBT

(1944)

Microcontrolador MCU

(13440)

GaN IC

(73)

Chip de procesador de IA

(1179)

Arsenal de puerta programable del campo

(6735)

CI de Ethernet

(979)

Conectores

(2855)

Chip IC de memoria

(2445)

Sensor IC

(2233)

chip de internet de las cosas

(235)

módulo 5G

(132)

Microprocesador de WiFi 6

(142)

Chip CI de Iphone

(55)

Módulo de comunicación inalámbrico

(3349)

Regulador de temperatura Thermostat

(8)
Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

Estoy en línea para chatear ahora

MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic

MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic
IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247
MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic

Ampliación de imagen :  MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IMZA120R014M1HXKSA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Fábrica original
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union
Contacto

MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic

Descripción
Tipo del FET: Canal N Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200 V
Vgs (máximo): +20V, -5V Disipación de poder (máxima): 455W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ) Montaje del tipo: A través del agujero
Paquete/caso: TO-247-4 Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Resaltar:

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC

,

GaN IC 1200V

,

Mohm de Gan Fet Transistor 14

Paquete del MOSFET TO247 del foso de los transistores IMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ sic

 

Descripción

El CoolSiC™ 1200 V, MOSFET de 14 mΩ sic en emplear del paquete TO247-4 un proceso avanzado del semiconductor del foso optimizado para combinar funcionamiento con confiabilidad. Con respecto al silicio tradicional (Si) basó los interruptores como IGBTs y los MOSFETs, sic el MOSFET ofrece una serie de ventajas. Éstos incluyen, la carga más baja de la puerta y los interruptores vistos los niveles V de la capacitancia del dispositivo en 1200, ningunas pérdidas reversas de la recuperación del diodo interno del cuerpo de la prueba de la conmutación, las pérdidas que cambian bajas independientes de la temperatura, y el en-estado umbral-libre char4acteristic. Los MOSFETs de CoolSiC™ son ideales para las topologías duras y de la resonante-transferencia como los circuitos de la corrección de factor de poder (PFC), las topologías bidireccionales y los convertidores de DC-DC o los inversores de DC-AC.

 

Resumen de características

  • Mejor en pérdidas de la transferencia y de la conducción de la clase
  • Alto voltaje del umbral de la prueba patrón, Vth > 4 V
  • voltaje de la puerta de la vuelta-apagado 0V para la impulsión fácil y simple de la puerta
  • Gama ancha del voltaje de la puerta-fuente
  • Diodo robusto y de pequeñas pérdidas del cuerpo clasificado para la conmutación dura
  • Pérdidas que cambian de la vuelta-apagado independiente de la temperatura
  • Tecnología de la interconexión de .XT para el funcionamiento termal de la mejor-en-clase

 

Tipo del FET: Canal N Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200 V
Vgs (máximo): +20V, -5V Disipación de poder (máxima): 455W (Tc)
Paquete/caso: TO-247-4 Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V

 

Ventajas

  • La eficacia más alta
  • Esfuerzo de enfriamiento reducido
  • Una operación más alta de la frecuencia
  • Densidad de poder creciente
  • Complejidad de sistema reducida

 

Usos

  • Formación de la batería
  • Carga rápida de EV
  • Control e impulsiones de motor
  • Soluciones para los sistemas de energía fotovoltaicos
  • Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS)

 

Diagramas

MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic 0

 

FAQ

Q. ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

VQFN54 integró el medio puente Gan Driver,

FET de LMG3422R030RQZR GaN,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad

DEJA UN MENSAJE

Política de privacidad | Porcelana Bueno Calidad Microprocesador del circuito integrado Proveedor. © 2022 - 2025 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.