LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 integró el medio puente Gan Driver

FET de los conductores LMG3425R030RQZR GaN de la puerta con el conductor integrado y el modo ideal VQFN54 del diodo

Descripción

El FET de LMG342xR030 GaN con el conductor integrado y la protección permite a diseñadores alcanzar nuevos niveles de densidad y de eficacia de poder en sistemas de la electrónica de poder. El LMG342xR030 integra un conductor del silicio que permita cambiar acelere a 150 V/ns. Resultados integrados del prejuicio de la puerta de la precisión del TI en una transferencia más alta SOA comparado a los conductores discretos de la puerta de silicio. Esta integración, combinada con el paquete de baja inductancia del TI, entrega la transferencia limpia y el sonido mínimo en topologías de la fuente de alimentación de la duro-transferencia. La fuerza ajustable de la impulsión de la puerta permite el control de la tarifa de ciénaga a partir de 20 V/ns a 150 V/ns, que se pueden utilizar para controlar la EMI y para optimizar activamente funcionamiento de la transferencia. El LMG3425R030 incluye el modo ideal del diodo, que reduce pérdidas del tercero-cuadrante permitiendo control adaptante del muerto-tiempo.

Especificaciones

Usos

• Fuentes de alimentación industriales de alta densidad
• Inversores solares e impulsiones industriales del motor
• Fuentes de alimentación ininterrumpibles
• Fuente de alimentación mercantil de la red y del servidor
• Rectificadores mercantil de las telecomunicaciones

Características

protección de circuito con < 100-ns="" response="">

–

Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V

–

Autopretección de la temperatura excesiva interna

y supervisión de UVLO

•

Gestión avanzada del poder

–

La temperatura PWM de Digitaces hizo salir

–

El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante

en

LMG3425R030

• Calificado para JEDEC JEP180 para las topologías de la duro-transferencia
• FET de 600-V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
• Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
• 200-V/ns CMTI
• frecuencia que cambia 2.2-MHz
• 30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización de cambiar funcionamiento y la mitigación de la EMI
• Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
• Protección robusta
• sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y protección trabada del shortcircuit con < 100-ns="" response="">
• Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
• Autopretección de la temperatura excesiva interna y de la supervisión de UVLO
• Gestión avanzada del poder
• La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
• El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante en LMG3425R030

 

Medida para determinar retrasos de propagación y tarifas de ciénaga

 

 

 

Calificado para JEDEC JEP180 para la duro-transferencia

topologías

•

600

- FET de V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta

–

Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- Frecuencia que cambia del megaciclo

–

30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización

del funcionamiento que cambia y de la mitigación de la EMI

–

Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V

•

Protección robusta

–

sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y cortocircuito trabado

protección de circuito con < 100-ns="" response="">

–

Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V

–

Autopretección de la temperatura excesiva interna

y supervisión de UVLO

•

Gestión avanzada del poder

–

La temperatura PWM de Digitaces hizo salir

–

El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante

en

LMG3425R030

Calificado para JEDEC JEP180 para la duro-transferencia

topologías

•

600

- FET de V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta

–

Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- Frecuencia que cambia del megaciclo

–

30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización

del funcionamiento que cambia y de la mitigación de la EMI

–

Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V

•

Protección robusta

–

sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y cortocircuito trabado

protección de circuito con < 100-ns="" response="">

–

Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V

–

Autopretección de la temperatura excesiva interna

y supervisión de UVLO

•

Gestión avanzada del poder

–

La temperatura PWM de Digitaces hizo salir

–

El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante

en

LMG3425R030

 

FAQ
Q. ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

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VQFN54 integró el medio puente Gan Driver,

FET de LMG3422R030RQZR GaN,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Contacto

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Categoría: Conductores llenos del semipuente de PMIC

Serie: CoolGaN™

Usos: Fines generales

Rds encendido: 140mOhm LS 140mOhm HS

El conductor LMG3411R070RWHR Gan Power Ic Power Distribution del FET cambia el canal 32VQFN de P

Ratio - Ingreso:Producción: 1:1

Interfaz: Lógica, PWM

La tensión de alimentación (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Actual - salida (máxima): 12A

Conductor P Channel GaN Driver Integrated del interruptor de LMG3410R070RWHR GaN IC

Configuración de salida: Alto lado

Tipo de salida: P-canal

Voltado - Carga: 480V (máximo)

La tensión de alimentación (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

El FET 600V de LMG3422R030RQZR GaN integrado aisló a GaN Gate Drivers

Corriente de salida: 1,2 A

Voltado de alimentación - Min: 7.5 V

Válvula de alimentación - máximo: de tensión de 18 V

Tiempo de subida: 4 años

Canal N de IC del interruptor de la distribución de poder de LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32

Voltaje - Carga: 480V (máximo)

Voltaje - fuente (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Actual - salida (máxima): 6A

Rds en (tipo): 150mOhm