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Mosfet del canal N de la energía baja del microprocesador 2.8mOhm del circuito integrado de NTMFS4C024NT1G

Name: Mosfet del canal N de la energía baja del microprocesador 2.8mOhm del circuito integrado de NTMFS4C024NT1G
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NTMFS4C024NT1G
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Mosfet del canal N de la energía baja del microprocesador 2.8mOhm del circuito integrado de NTMFS4C024NT1G

Ampliación de imagen : Mosfet del canal N de la energía baja del microprocesador 2.8mOhm del circuito integrado de NTMFS4C024NT1G

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	NTMFS4C024NT1G

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	8-PowerTDFN
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Mosfet del canal N de la energía baja del microprocesador 2.8mOhm del circuito integrado de NTMFS4C024NT1G

Descripción

Número de parte:	NTMFS4C024NT1G	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):	30 voltios
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On):	4,5 V, 10 V	Vgs (Máx.):	±20V
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje:	Montaje superficial
Resaltar:	Chip de circuito integrado NTMFS4C024NT1G , Chip de circuito integrado de 2 , 8 mOhm de baja potencia

Paquete de los transistores 30V 5-DFN del canal N del microprocesador NTMFS4C024NT1G del circuito integrado

Características

RDS bajo (encendido) para minimizar pérdidas de la conducción
Capacitancia baja para minimizar al conductor Losses
Carga optimizada de la puerta para minimizar pérdidas que cambian
Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente

Cualidades de producto

Situación del producto	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	21.7A (TA), 78A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	2.8mOhm @ 30A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1972 PF @ 15 V
Disipación de poder (máxima)	2.57W (TA), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete/caso	8-PowerTDFN, 5 ventajas
Número bajo del producto	NTMFS4

Usos

Entrega de poder de la CPU
Convertidores de DC−DC

FAQ
Q. ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Voltaje - Entrada: 2,375 V ~ 3,5 V

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