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paquete del transistor 8-PowerTDFN del MOSFET del microprocesador NTMFS4C09NT1G N del circuito integrado 5.8mOhm

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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—— Nishikawa de Japón

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paquete del transistor 8-PowerTDFN del MOSFET del microprocesador NTMFS4C09NT1G N del circuito integrado 5.8mOhm

paquete del transistor 8-PowerTDFN del MOSFET del microprocesador NTMFS4C09NT1G N del circuito integrado 5.8mOhm
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Ampliación de imagen :  paquete del transistor 8-PowerTDFN del MOSFET del microprocesador NTMFS4C09NT1G N del circuito integrado 5.8mOhm

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: NTMFS4C09NT1G
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: 8-PowerTDFN
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

paquete del transistor 8-PowerTDFN del MOSFET del microprocesador NTMFS4C09NT1G N del circuito integrado 5.8mOhm

Descripción
Número de parte: NTMFS4C09NT1G Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On): 4,5 V, 10 V Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5,8 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.: 2,1 V a 250 µA Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Resaltar:

Chip de circuito integrado de 5

,

8 mOhm NTMFS4C09NT1G

,

Chip de circuito integrado NTMFS4C09NT1G

Chip de circuito integrado NTMFS4C09NT1G MOSFET Transistores de canal N Paquete 8-PowerTDFN

 

Características

  • RDS bajo (encendido) para minimizar las pérdidas de conducción
  • Baja capacitancia para minimizar las pérdidas del controlador
  • Carga de puerta optimizada para minimizar las pérdidas de conmutación
  • Estos dispositivos son libres de Pb, libres de halógenos/BFR y cumplen con RoHS

 

Aplicaciones

  • Entrega de energía de la CPU
  • Convertidores CC−CC

 

Esquema de caja mecánica

paquete del transistor 8-PowerTDFN del MOSFET del microprocesador NTMFS4C09NT1G N del circuito integrado 5.8mOhm 0

 

Preguntas más frecuentes
P. ¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.
P: ¿Qué certificados tienes?
R:Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?
R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en existencia dentro de los 5 días hábiles. Si no hay existencias, le confirmaremos el tiempo de entrega en función de la cantidad de su pedido.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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