PMDXB600UNE 20V Dual N Channel Trench MOSFET Transistores 6 Paquete XFDFN

PMDXB600UNE Transistores MOSFET de trinchera de canal N dual de 20 V Paquete 6-XFDFN

Descripción del producto de PMDXB600UNE

PMDXB600UNE es un transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N dual en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) ultrapequeño DFN1010B-6 (SOT1216) sin cables que utiliza tecnología MOSFET de trinchera.

Especificación de PMDXB600UNE

Características de PMDXB600UNE

• Tecnología MOSFET de trinchera
• Paquete de plástico SMD ultrapequeño y ultrafino sin plomo: 1,1 × 1,0 × 0,37 mm
• Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
• Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 1 kV HBM
• Resistencia en estado de fuente de drenaje RDSon = 470 mΩ

Aplicaciones de PMDXB600UNE

• controlador de relé
• Conductor de línea de alta velocidad
• Interruptor de carga del lado bajo
• Circuitos de conmutación

Esquema del paquete de PMDXB600UNE

Preguntas más frecuentes
P. ¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.
P: ¿Qué certificados tienes?
R:Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?
R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en existencia dentro de los 5 días hábiles. Si no hay existencias, le confirmaremos el tiempo de entrega en función de la cantidad de su pedido.