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Transistores del Mosfet del SiC del microprocesador del circuito integrado AIMBG120R020M1 para automoción

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
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—— Dori

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Transistores del Mosfet del SiC del microprocesador del circuito integrado AIMBG120R020M1 para automoción

Transistores del Mosfet del SiC del microprocesador del circuito integrado AIMBG120R020M1 para automoción
Transistores del Mosfet del SiC del microprocesador del circuito integrado AIMBG120R020M1 para automoción

Ampliación de imagen :  Transistores del Mosfet del SiC del microprocesador del circuito integrado AIMBG120R020M1 para automoción

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: AIMBG120R020M1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-263-7
Tiempo de entrega: 5-8 días laborales
Condiciones de pago: T/T, LC, Western Union

Transistores del Mosfet del SiC del microprocesador del circuito integrado AIMBG120R020M1 para automoción

Descripción
Número de parte: AIMBG120R020M1 Paquete: PG-TO263-7
Temperatura de funcionamiento: -55 °C - 175 °C Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C: 81A Tipo de montaje: Montaje superficial
Lo más destacado:

Chip de circuito integrado AIMBG120R020M1

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Mosfet de chip de circuito integrado

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transistores Mosfet SiC automotrices

Chip de circuito integrado AIMBG120R020M1 Transistores SiC Mosfet para automoción

 

Descripción de AIMBG120R020M1

El AIMBG120R020M1 es un Mosfet SiC de 1200 V para la familia automotriz que se ha desarrollado para aplicaciones actuales y futuras de cargador a bordo y CC-CC en vehículos híbridos y eléctricos.


Especificación deAIMBG120R020M1

Ces

2281 pF

Coss

123pF

yoD(@25°C)máximo

81A

Temperatura de funcionamientomin máximo

-55 °C 175 °C

PAGSnene(@ TA=25°C)máximo

350W

Paquete

TO-263-7

qGRAMO

83 nC

RSD (activado)(@ Tj = 25°C)

20 mΩ

RthJC máximo

0,5 K/W

VSD máximo

1200 V

 

Características de AIBG120R020M1
Pérdidas de conmutación muy bajas
Sin umbral en la característica de estado
Voltaje de puerta de apagado de 0V
Voltaje de umbral de puerta de referencia, VGS (th) = 4.5V
dv/dt totalmente controlable
Diodo de cuerpo robusto de conmutación, listo para rectificación síncrona
Pérdidas de conmutación de apagado independientes de la temperatura
Pin Sense para un rendimiento de conmutación optimizado
Adecuado para requisitos de fuga HV

 

Aplicaciones potenciales deAIMBG120R020M1
Cargador a bordo
Convertidor CC-CC

 

Preguntas más frecuentes
P. ¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.
P: ¿Qué certificados tienes?
R:Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?
R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en existencia dentro de los 5 días hábiles. Si no hay existencias, le confirmaremos el tiempo de entrega en función de la cantidad de su pedido.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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