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Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio

Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio
Silicon Carbide MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC Trench Power Device
Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio

Ampliación de imagen :  Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IMZA65R072M1H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-4
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio

Descripción
Número de parte: IMZA65R072M1H Número de canales: 1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 650 V Id - Corriente de drenaje continua: 28 A
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 5,7 V Pd - Disipación de potencia: 96 W

Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio

 

Descripción de producto de IMZA65R072M1H

Palancadas de la tecnología del MOSFET de IMZA65R072M1H CoolSiC™ las características físicas fuertes del carburo de silicio, añadiendo las características únicas que aumentan el funcionamiento, la robustez, y la facilidad de empleo del dispositivo. El MOSFET 650V de IMZA65R072M1H CoolSiC™ se emplea un semiconductor avanzado del foso, optimizado para no permitir ningún compromiso en conseguir ambas las pérdidas más bajas del uso y de la confiabilidad más alta en funcionamiento.
El MOSFET de IMZA65R072M1H sic en paquete del perno TO247 4 reduce efectos parásitos de la inductancia de la fuente sobre el circuito de puerta permitiendo una transferencia más rápida y eficacia creciente.

 

Especificación de IMZA65R072M1H

Número de parte IMZA65R072M1H Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 650 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 28A (Tc) Polaridad del transistor Canal N
Rds en - resistencia de la Dren-fuente 94 mOhms Qg - carga de la puerta 22 nC
Disipación de poder (máxima) 96W (Tc) Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

 

Características de IMZA65R072M1H

  • Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents
  • CommutationrobustfastbodydiodewithlowQrr
  • Superiorgateoxidereliability
  • Bestthermalconductivityandbehavior
  • Andpulsecurrentdependencyontemperature de LowerRDS (encendido)
  • Increasedavalanchecapability
  • Compatiblewithstandarddrivers (edad del recommendeddrivingvol: 18V)
  • Kelvinsourceprovidesupto4timeslowerswitchinglosses

 

Ventajas de IMZA65R072M1H

  • Alto rendimiento, alta confiabilidad y facilidad de empleo
  • Permite alta eficacia de sistema
  • Reduce coste y complejidad de sistema
  • Permite tamaño de un sistema más pequeño
  • Trabajos en topologías con la conmutación dura continua
  • Ajuste para las operaciones das alta temperatura y duras
  • Permite topologías bidireccionales

 

Usos potenciales de IMZA65R072M1H

  • Servidor
  • Telecomunicaciones
  • SMPS
  • Sistemas de energía solar
  • Almacenamiento de energía y formación de la batería
  • UPS
  • Carga de EV
  • Impulsiones del motor

 

Diagramas de IMZA65R072M1H

Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio 0

 

El paquete resume IMZA65R072M1H

Dispositivo de poder del foso del MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC del carburo de silicio 1

 

FAQ
Q. ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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