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MOSFET del foso de los transistores IMW120R030M1H CoolSiC 1200V del canal N sic en el paquete TO247-3

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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MOSFET del foso de los transistores IMW120R030M1H CoolSiC 1200V del canal N sic en el paquete TO247-3

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MOSFET del foso de los transistores IMW120R030M1H CoolSiC 1200V del canal N sic en el paquete TO247-3

Ampliación de imagen :  MOSFET del foso de los transistores IMW120R030M1H CoolSiC 1200V del canal N sic en el paquete TO247-3

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IMW120R030M1H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO247-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

MOSFET del foso de los transistores IMW120R030M1H CoolSiC 1200V del canal N sic en el paquete TO247-3

Descripción
Part Number: IMW120R030M1H Series: CoolSiC™
FET Type: N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Resaltar:

IMW120R030M1H

,

Transistores de canal N de tipo IMW120R030M1H

,

MOSFET de zanja de SiC de 1200 V

MOSFET del foso de los transistores IMW120R030M1H CoolSiC 1200V del canal N sic en el paquete TO247-3

 

Descripción de producto de IMW120R030M1H

El IMW120R030M1H CoolSiC™ 1200 V, MOSFET de 30 mΩ sic en emplear del paquete TO247-3 un proceso avanzado del semiconductor del foso optimizado para combinar funcionamiento con confiabilidad. Con respecto al silicio tradicional (Si) basó los interruptores como IGBTs y los MOSFETs, sic el MOSFET ofrece una serie de ventajas.
IMW120R030M1H que éstos incluyen, la carga más baja de la puerta y los interruptores vistos niveles V de la capacitancia del dispositivo en 1200, ningunas pérdidas reversas de la recuperación del diodo interno del cuerpo de la prueba de la conmutación, pérdidas que cambian bajas independientes de la temperatura, y característica umbral-libre del en-estado. Los MOSFETs de CoolSiC™ son ideales para las topologías duras y de la resonante-transferencia como los circuitos de la corrección de factor de poder (PFC), las topologías bidireccionales y los convertidores de DC-DC o los inversores de DC-AC.

 

Especificación de IMW120R030M1H

Número de parte IMW120R030M1H
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Sic
A través del agujero
1 canal
1,2 kilovoltios
56 A
40 mOhms
- 7 V, + 23 V
5,7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C

 

Características de IMW120R030M1H

  • Mejor en pérdidas de la transferencia y de la conducción de la clase
  • Alto voltaje del umbral de la prueba patrón, Vth > 4 V
  • voltaje de la puerta de la vuelta-apagado 0V para la impulsión fácil y simple de la puerta
  • Gama ancha del voltaje de la puerta-fuente
  • Diodo robusto y de pequeñas pérdidas del cuerpo clasificado para la conmutación dura
  • Pérdidas que cambian de la vuelta-apagado independiente de la temperatura

 

Usos de IMW120R030M1H

  • Carga rápida de EV
  • Soluciones para los sistemas de energía fotovoltaicos
  • Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)

 

Diagramas de IMW120R030M1H

MOSFET del foso de los transistores IMW120R030M1H CoolSiC 1200V del canal N sic en el paquete TO247-3 0

 

FAQ
Q. ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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