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Microprocesador 60V del circuito integrado del transistor TO-252-3 del MOSFET del poder del canal IPD06P004N de P

Name: Microprocesador 60V del circuito integrado del transistor TO-252-3 del MOSFET del poder del canal IPD06P004N de P
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPD06P004N
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

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Microprocesador 60V del circuito integrado del transistor TO-252-3 del MOSFET del poder del canal IPD06P004N de P

Ampliación de imagen : Microprocesador 60V del circuito integrado del transistor TO-252-3 del MOSFET del poder del canal IPD06P004N de P

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	IPD06P004N

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	PG-TO252-3
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Microprocesador 60V del circuito integrado del transistor TO-252-3 del MOSFET del poder del canal IPD06P004N de P

Descripción

Part Number:	IPD06P004N	Drain to Source Voltage (Vdss):	60 V
Power Dissipation (Max):	63W (Tc)	Drive Voltage:	10V
Operating Temperature(Min):	-55°C (TJ)	Operating Temperature(Max):	175°C (TJ)
Resaltar:	IPD06P004N , IPD06P004N Integrated Circuit Chip , P Channel Power MOSFET Transistor

Microprocesador 60V del circuito integrado del transistor TO-252-3 del MOSFET del poder del canal IPD06P004N de P

Descripción de producto de IPD06P004N

IPD06P004N es transistor de poder de 60V OptiMOS - el transistor del MOSFET del P-canal, el paquete es PG-TO252-3 (soporte superficial).

Especificación de IPD06P004N

Número de parte	IPD06P004N
Tipo del FET	P-canal
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	16.4A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	90mOhm @ 16.4A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 710µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1100 PF @ 30 V
Disipación de poder (máxima)	63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete/caso	TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Características del microprocesador del circuito integrado

P-canal
Verylowon-resistanceRDS (encendido)
100%avalanchetested
NormalLevel
Enhancementmode
Pb-freeleadplating; RoHScompliant

Bloque diagrama de IPD06P004N

Microprocesador 60V del circuito integrado del transistor TO-252-3 del MOSFET del poder del canal IPD06P004N de P 0

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Número de parte	Paquete
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EW-432	SOT23-3
F720J158MMC	SMD
FC1610-TC-AJ0-01	QFP
FC1610-TC-AJ2-01	QFP
FDD8896	TO-252

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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