el automóvil 650V salta la parada de campo del foso de los transistores TO-3PN de FGA40T65SHD IGBT

el automóvil 650V salta la parada de campo del foso de los transistores TO-3PN de FGA40T65SHD IGBT

Descripción de producto de FGA40T65SHD

FGA40T65SHD usando la tecnología nueva de la parada de campo IGBT, 3ra generación IGBTs de la parada de campo ofrecen el funcionamiento óptimo para el inversor solar, UPS, soldador, telecomunicaciones, usos del ESS y de PFC donde están esenciales la conducción baja y las pérdidas que cambian.

Especificación de FGA40T65SHD

Características de los microprocesadores del automóvil

• Temperatura de empalme máxima: TJ =175oC
• Coeficiente de temperatura positivo para el funcionamiento paralelo fácil
• Capacidad de gran intensidad
• Voltaje de saturación bajo: VCE (se sentó) =1.6 V (tipo.) @ IC = 40 A
• 100% de las piezas probadas para ILM (1)

Usos de FGA40T65SHD

• UPS
• Soldador
• Inversor solar

Otros componentes electrónicos en existencia

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.