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el automóvil 650V salta los transistores TO-247-3 del foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

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Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

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Ampliación de imagen :  el automóvil 650V salta los transistores TO-247-3 del foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: AFGHL50T65SQDC
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

el automóvil 650V salta los transistores TO-247-3 del foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC

Descripción
Número de parte: AFGHL50T65SQDC Voltaje de Collector−to−Emitter: 650V
Voltaje de Gate−To−Emitter: ±20V Voltaje transitorio de Gate−to−Emitter: ±30V
Corriente de colector @ TC = 25°C: 80A Corriente de colector @ TC = 100°C: 50A

el automóvil 650V salta los transistores TO-247-3 del foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC

 

Descripción de producto de AFGHL50T65SQDC

Foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC, usando la tecnología de alta velocidad de campo generación nueva IGBT de la parada de la 4ta.

 

Especificación de AFGHL50T65SQDC

Número de parte: AFGHL50T65SQDC - Colector (Ic) - máximo actual: 80 A
Temperatura de funcionamiento (minuto): -55°C (TJ) Condición de prueba: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento (máxima): 175°C (TJ) Energía que cambia: 950µJ (encendido), 460µJ (apagado)

 

Dimensiones del paquete de AFGHL50T65SQDC

el automóvil 650V salta los transistores TO-247-3 del foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC 0
 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte Paquete
PCM5101PWR SSOP
PD632-P DIP-3
PDTC114TU SOT323
PE42742 QFN
PEF22824EV1.2 BGA
PEF22825V1.1 QFP


FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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