solo IGBT transistor TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ a través de la parada de campo del foso del agujero 238W

solo IGBT transistor TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ a través de la parada de campo del foso del agujero 238W

Descripción de producto de AFGHL40T65SQ

El solo IGBT transistor de AFGHL40T65SQ 28ns, paquete es TO-247-3, a través de agujero, parada de campo del foso 238W. La disipación de poder máxima @ TC = 100°C es 119W.

Especificación de AFGHL40T65SQ

Características de los microprocesadores del automóvil

• Disipación de poder máxima @ TC = 25°C: 238W
• Disipación de poder máxima @ TC = 100°C: 119W
• Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme/de almacenamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Corriente delantera @ TC del diodo < 25="">
• Corriente delantera @ TC del diodo < 100="">

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.