el automóvil 238W salta los transistores TO-247-3 de la parada de campo del foso de AFGHL40T65SPD IGBT

el automóvil 238W salta los transistores TO-247-3 de la parada de campo del foso de AFGHL40T65SPD IGBT

Descripción de producto de AFGHL40T65SPD

Transistores de la parada de campo del foso de AFGHL40T65SPD IGBT - los solos IGBTs transistores de 238W, paquete son TO-247-3, voltaje transitorio de Gate−To−Emitter son ±30V.

Especificación de AFGHL40T65SPD

Características de los microprocesadores del automóvil

• Voltaje de saturación bajo: VCE (Sat) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 40 A
• 100% de las piezas se prueba para ILM
• Junction−to−case de la resistencia termal, para IGBT: 0.63°C/W
• Junction−to−case de la resistencia termal, para el diodo: 1.71°C/W
• Resistencia termal junction−to−ambient: 40°C/W

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.