El automóvil de los transistores de la parada de campo del foso de IGBT 1200V AFGHL40T120RLD 529W salta

El automóvil de los transistores de la parada de campo del foso de IGBT 1200V AFGHL40T120RLD 529W salta

Descripción de producto de AFGHL40T120RLD

AFGHL40T120RLD es la parada de campo del foso de IGBT 1200 V 48 A 529 W con la temperatura Co−efficient del agujero TO-247-3.Positive para la operación paralela fácil.

Especificación de AFGHL40T120RLD

Características de AFGHL40T120RLD

• Temperatura de empalme máxima: TJ = 175°C

• Capacidad de gran intensidad

• Voltaje de saturación bajo: VCE (Sat) = 1,57 V (tipo.) @ IC = 30 A

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FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.