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Chip CI del microprocesador HU3PAK 1200V 63mΩ del circuito integrado de los MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC de SIC

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
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—— Nishikawa de Japón

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Chip CI del microprocesador HU3PAK 1200V 63mΩ del circuito integrado de los MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC de SIC

Chip CI del microprocesador HU3PAK 1200V 63mΩ del circuito integrado de los MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC de SIC
SIC MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC Integrated Circuit Chip HU3PAK 1200V 63mΩ IC Chip
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Ampliación de imagen :  Chip CI del microprocesador HU3PAK 1200V 63mΩ del circuito integrado de los MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC de SIC

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: SCT070HU120G3AG
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: HU3PAK
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Chip CI del microprocesador HU3PAK 1200V 63mΩ del circuito integrado de los MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC de SIC

Descripción
Número de parte: SCT070HU120G3AG Voltaje de la Dren-fuente: 1200V
Corriente del dren (pulsada): 100A Corriente cero del dren del voltaje de la puerta (VGS = 0 V, VDS = V) 1200 máximo: 10µA
corriente de la salida del Puerta-cuerpo (VDS = 0V, VGS = -10 a 22V) máxima: nA ±100 Actual delantero del diodo continuo (TC = °C) 25: 30A

Chip CI del microprocesador HU3PAK 1200V 63mΩ del circuito integrado de los MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC de SIC

 

Descripción de producto de SSCT070HU120G3AG

SCT070HU120G3AG este dispositivo del MOSFET del poder del carburo de silicio se ha desarrollado usando tecnología avanzada e innovadora del MOSFET de la 3ra generación sic.

 

Especificación de SCT070HU120G3AG

Número de parte: SCT070HU120G3AG Disipación de poder total en TC = °C 25: 223W
Gama de temperaturas de almacenamiento: -55 °C al °C 175 Resistencia termal, Empalme-A-caso: 0,67 °C/W
Resistencia termal Empalme-A-ambiente: 50 °C/W Paquete: HU3PAK

 

Características del microprocesador del circuito integrado de SIC

  • RDS bajo mismo (encendido) sobre la gama de temperaturas entera
  • Funcionamientos que cambian de alta velocidad
  • Diodo intrínseco muy rápido y robusto del cuerpo
  • Perno de detección de la fuente para la eficacia creciente

 

Usos de SCT070HU120G3AG

  • Inversor principal (tracción eléctrica)

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
IRF1405 TO-220
IRF1407 TO-220
IRF1902 SOP-8
IRF2804 TO-220
IRF2807 TO-220
IRF2907 TO-220

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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