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MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
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—— Nishikawa de Japón

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MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC

MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC
MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC

Ampliación de imagen :  MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: SCT070H120G3AG
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: ² PAK-7 DE H
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC

Descripción
Número de parte: SCT070H120G3AG Voltaje de la Dren-fuente: 1200V
Voltaje de la Puerta-fuente: -10V a 22V Drene actual (continuo) en TC = el °C 25: 30A
Drene actual (continuo) en TC = el °C 100: 20A Disipación de poder total en TC = °C 25: 223W

MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC

 

Descripción de producto de SCT070H120G3AG

SCT070H120G3AG ofrece un RDS muy bajo (encendido) sobre la gama de temperaturas entera combinada con capacitancias bajas y operaciones que cambian muy altas.

 

Especificación de SCT070H120G3AG

Número de parte: SCT070H120G3AG Voltaje de la Dren-fuente: 1200V
Drene actual (pulsado): 100A Corriente cero del dren del voltaje de la puerta (VGS = 0 V, VDS = V) 1200 máximo: 10µA
Corriente de la salida del Puerta-cuerpo (VDS = 0V, VGS = -10 a 22V) máxima: NA ±100 Corriente delantera del diodo continuo (TC = °C) 25: 30A

 

Usos de SCT070H120G3AG

  • Convertidor de DC/DC para EV/HEV

 

Características de salida típicas (TJ = °C) 25 de SCT070H120G3AG

MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC 0

 

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FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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