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Paquete de los transistores TO-247-4 de la parada de campo del foso de IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Paquete de los transistores TO-247-4 de la parada de campo del foso de IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

Paquete de los transistores TO-247-4 de la parada de campo del foso de IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4
Paquete de los transistores TO-247-4 de la parada de campo del foso de IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

Ampliación de imagen :  Paquete de los transistores TO-247-4 de la parada de campo del foso de IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: FGHL75T65MQDTL4
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-4
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Paquete de los transistores TO-247-4 de la parada de campo del foso de IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

Descripción
Número de parte: FGHL75T65MQDTL4 Voltaje de Collector−Emitter: 1200V
Voltaje de Gate−Emitter: ±20V Voltaje transitorio de Gate−Emitter: ±30V
Corriente de colector pulsada: 160A Corriente delantera del diodo: 80A

Paquete de los transistores TO-247-4 de la parada de campo del foso de IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

 
Descripción de producto de FGHL75T65MQDTL4

FGHL75T65MQDTL4 ofrece ultra una construcción robusta y cost−effective del foso de la parada de campo, y proporciona rendimiento superior en usos que cambian exigentes, el ofrecimiento ambo voltaje bajo del on−state y la pérdida que cambia mínima.


Especificación de FGHL75T65MQDTL4

Número de parte

FGHL75T65MQDTL4

- 20 V, + 20 V

80 A

375 W

 

Características de transistores

  • Transferencia lisa y optimizada

  • Distribución apretada del parámetro

  • RoHS obediente

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte

Paquete

EM638165TS-7G

TSOP

EM78P156ELMS-G

COMPENSACIÓN

EM84530P

DIP16

EMG4T2R

SOT553

EMH9T2R

SOT463

TK30A06J3A

TO-220

 

FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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