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Transistores TO-220-3 del canal N del poder del microprocesador NTP095N65S3HF 650V del circuito integrado

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
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—— Nishikawa de Japón

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Transistores TO-220-3 del canal N del poder del microprocesador NTP095N65S3HF 650V del circuito integrado

Transistores TO-220-3 del canal N del poder del microprocesador NTP095N65S3HF 650V del circuito integrado
Integrated Circuit Chip NTP095N65S3HF 650V Power N‐Channel Transistors TO-220-3
Transistores TO-220-3 del canal N del poder del microprocesador NTP095N65S3HF 650V del circuito integrado Transistores TO-220-3 del canal N del poder del microprocesador NTP095N65S3HF 650V del circuito integrado

Ampliación de imagen :  Transistores TO-220-3 del canal N del poder del microprocesador NTP095N65S3HF 650V del circuito integrado

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: NTP095N65S3HF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-220-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores TO-220-3 del canal N del poder del microprocesador NTP095N65S3HF 650V del circuito integrado

Descripción
Número de parte: NTP095N65S3HF Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5V @ 860µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 2930 PF @ 400 V
Disipación de poder (máxima): 272W (Tc) Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Transistores TO-220-3 del canal N del poder del microprocesador NTP095N65S3HF 650V del circuito integrado

 
Descripción de producto de NTP095N65S3HF

NTP095N65S3HF es la familia de alto voltaje del MOSFET del super−junction (SJ) que está utilizando la tecnología de la balanza de la carga para la en-resistencia baja excepcional y un funcionamiento más bajo de la carga de la puerta.


Especificación de NTP095N65S3HF

Número de parte NTP095N65S3HF
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
650 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
36A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
95mOhm @ 18A, 10V

 

Características de transistores

  • 700 V @ TJ= 150°C
  • Tipo. RDS (encendido) = 82 m
  • La avalancha 100% probó
  • Carga ultrabaja de la puerta (tipo. Qg= 66 nC)

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
AN6292NK INMERSIÓN
AN6715 INMERSIÓN
AN6311FA-V QFP
ANX9021 QFP
AN87C196JRF8 PLCC
AN87C196JTWB20 PLCC


FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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