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canal N del microprocesador 8WDFN del circuito integrado de los transistores NVTFS016N06CTAG de los MOSFETs 60V

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
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—— Nishikawa de Japón

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canal N del microprocesador 8WDFN del circuito integrado de los transistores NVTFS016N06CTAG de los MOSFETs 60V

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60V MOSFETs Transistors NVTFS016N06CTAG Integrated Circuit Chip 8WDFN N-Channel
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Ampliación de imagen :  canal N del microprocesador 8WDFN del circuito integrado de los transistores NVTFS016N06CTAG de los MOSFETs 60V

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: NVTFS016N06CTAG
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: 8-WDFN (3.3x3.3)
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

canal N del microprocesador 8WDFN del circuito integrado de los transistores NVTFS016N06CTAG de los MOSFETs 60V

Descripción
Número de parte: NVTFS016N06CTAG Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 10V Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 6,9 nC @ 10 V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V Disipación de poder (máxima): 2.5W (TA), 36W (Tc)

canal N del microprocesador 8WDFN del circuito integrado de los transistores NVTFS016N06CTAG de los MOSFETs 60V

 
Descripción de producto de NVTFS016N06CTAG

NVTFS016N06CTAG es los solos transistores de los MOSFETs de los FETs del canal N, 60V 8A (TA), 32A (Tc) 2.5W (TA), 36W (Tc), soporte superficial, paquete es 8-WDFN (3.3x3.3).


Especificación de NVTFS016N06CTAG

Número de parte NVTFS016N06CTAG
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
8A (TA), 32A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (máximo)
±20V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
6,9 nC @ 10 V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
16.3mOhm @ 5A, 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
489 PF @ 30 V

 

Características de transistores

  • Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 60 V
  • Disipación de poder (máxima): 2.5W (TA), 36W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
AO4828 SOP-8
AO6402L SOT23-6
AOZ1024DI QFN
AP1661AMTR SOP8
AP34063 DIP-8
AP4511GED DIP8


FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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