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Transistor de empalme del carburo de silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V del canal N TO-247-4

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Transistor de empalme del carburo de silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V del canal N TO-247-4

Transistor de empalme del carburo de silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V del canal N TO-247-4
Transistor de empalme del carburo de silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V del canal N TO-247-4

Ampliación de imagen :  Transistor de empalme del carburo de silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V del canal N TO-247-4

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IMYH200R012M1H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-4
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistor de empalme del carburo de silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V del canal N TO-247-4

Descripción
Número de parte: IMYH200R012M1H Serie: CoolSiC™
Vgs (máximo): +20V, -7V Disipación de poder (máxima): 552W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ) Montaje del tipo: A través del agujero

Transistor de empalme del carburo de silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V del canal N TO-247-4

 

Descripción de producto de IMYH200R012M1H

IMYH200R012M1H es transistor de empalme del carburo de silicio de los MOSFETs del canal N, a través de agujero, paquete es TO-247-4.

 

Especificación de IMYH200R012M1H

Número de parte IMYH200R012M1H
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
Sic (transistor de empalme del carburo de silicio)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
2000 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
123A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
16.5mOhm @ 60A, 18V

 

Características de IMYH200R012M1H

  • Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 16.5mOhm @ 60A, 18V
  • Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.5V @ 48mA
  • Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 246 nC @ 18 V

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
BQ24250CYFFR DSBGA30
MA4ST401CK-287 SOT-23
TPS51220ARSNR QFN32
CM3202-00DE QFN
5AGZME1E3H29C4N BGA
PSS30S92E6-AG Módulo


FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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