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Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

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Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

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Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic
TO-263-8 IMBG65R048M1H Silicon Carbide MOSFETs Transistors 650V SiC Trench Power
Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Ampliación de imagen :  Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IMBG65R048M1H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-263-8
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union
Contacto

Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Descripción
Número de parte: IMBG65R048M1H Corriente máxima del dren (máxima): 99A
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 1118 PF @ 400 V
voltaje de avería de la Dren-fuente (minuto): 650V Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)

Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

 

Descripción de producto de IMBG65R048M1H

IMBG65R048M1H es dispositivo de poder del foso de 650V CoolSiC M1 sic, soporte superficial.

 

Especificación de IMBG65R048M1H

Número de parte IMBG65R048M1H
Tipo del FET
Canal N
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
650 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
45A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
64mOhm @ 20.1A, 18V

 

Características de IMBG65R048M1H

  • La transferencia optimizada sea havior en corrientes más altas
  • Diodo rápido robusto del cuerpo de la conmutación con Qf bajo
  • Confiabilidad superior del óxido de la puerta
  • Tj, max=175°C y comportamiento termal excelente

 

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AXK7L24223G SMD


FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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