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Datos del producto:
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| Número de parte: | IMBG120R045M1H | El cortocircuito soporta tiempo: | 3 µs |
|---|---|---|---|
| Voltaje de la puerta de la vuelta-apagado: | 0V | Qg - carga de la puerta: | 46 nC |
| Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: | 5,7 V | Voltaje del umbral de la puerta de la prueba patrón: | VGS (th) = 4.5V |
sic transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N del MOSFET IMBG120R045M1H del foso 1200V
Descripción de producto de IMBG120R045M1H
IMBG120R045M1H es MOSFET del foso de CoolSiC™ 1200V sic con tecnología de la interconexión de .XT.
Especificación de IMBG120R045M1H
| Número de parte: | IMBG120R045M1H |
| Sic | |
| SMD/SMT | |
| TO-247-7 | |
| 1,2 kilovoltios | |
| 47 A | |
| 45 mOhms | |
| - 7 V, + 23 V |
Características de IMBG120R045M1H
Otros componentes electrónicos en existencia
| Número de parte | Paquete |
| MC44CC373CAEFR2 | SOP16 |
| HMC939LP4E | QFN |
| AM79C984AJC | PLCC84 |
| RE46C141SW16TF | SOP16 |
| BSC190N15NS3G | TDSON-8 |
| UC2637DWTR | SOP20 |
FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.
Persona de Contacto: Sales Manager
Teléfono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753