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De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic

De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic
IMBG65R039M1H N-Channel 650V MOSFETs Transistors SiC Trench Power Device
De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic

Ampliación de imagen :  De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IMBG65R039M1H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-263-8
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union
Contacto

De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic

Descripción
Número de parte: IMBG65R039M1H Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 5 V, + 23 V
Tipo de producto: MOSFET Situación del producto: Activo

De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic

 

Descripción de producto de IMBG65R039M1H

Los transistores de poder del aumento-modo de IMBG65R039M1H GaN están disponibles en un paquete del superficie-soporte de ThinPAK 5x6, ideal para los usos que requieren un dispositivo compacto sin un disipador de calor.

 

Especificación de IMBG65R039M1H

Número de parte

IMBG65R039M1H

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs

41 nC @ 18 V

Vgs (máximo)

+23V, -5V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds

1393 PF @ 400 V

 

Características de IMBG65R039M1H

  • Una dependencia actual más baja de Rs (encendido) y del pulso en temperatura

  • Capacidad creciente de la avalancha

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte

Paquete

XC7K160T-1FB484I

BGA

XC7K160T-1FB676I

BGA

XC7K160T-2FB484I

BGA

XC7K160T-L2FBG676E

BGA

XC7K160T-2FBG676C

BGA

XC7K160T-L2FFG676I

BGA


FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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