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solo microprocesador del circuito integrado de los transistores IMBG65R107M1H de los MOSFETs de los FETs de 24A 110W

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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24A 110W Single FETs MOSFETs Transistors IMBG65R107M1H Integrated Circuit Chip
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Ampliación de imagen :  solo microprocesador del circuito integrado de los transistores IMBG65R107M1H de los MOSFETs de los FETs de 24A 110W

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IMBG65R107M1H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-263-8
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

solo microprocesador del circuito integrado de los transistores IMBG65R107M1H de los MOSFETs de los FETs de 24A 110W

Descripción
Número de parte: IMBG65R107M1H Conducción de voltaje: 0V-18V
Pérdidas que cambian más bajas: 4 veces Carga de la puerta: 35 nC
Voltaje de la Puerta-fuente: 23 V Paladio: 110 W

solo microprocesador del circuito integrado de los transistores IMBG65R107M1H de los MOSFETs de los FETs de 24A 110W

 

Descripción de producto de IMBG65R107M1H

IMBG65R107M1H provee de un diodo ultrarrápido integrado del cuerpo permitiendo uso en topologías resonantes la carga reversa más baja de la recuperación.

 

Especificación de IMBG65R107M1H

Número de parte:

IMBG65R107M1H

Canales:

1

Vds:

650 V

Rds encendido:

42 MOhms

Identificación:

63 A

Th de Vgs:

5,7 V

 

Ventajas de IMBG65R107M1H

  • Combinación única de alto rendimiento, de alto relibility y de facilidad de empleo

  • Facilidad de empleo e integración

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte

Paquete

XC7A75T-2FTG256C

BGA

XC7A75T-1FGG484I

BGA

XC7A75T-2FGG676C

BGA

XC7A75T-1FGG484C

BGA

XC7A75T-1CSG324I

BGA

XC7A75T-1FGG676C

BGA


FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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