Transistores TO-263-8 del microprocesador IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrado

Transistores TO-263-8 del microprocesador IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrado

Descripción de producto de IMBG120R090M1H

IMBG120R090M1H es MOSFET del foso de CoolSiC™ 1200V sic, canal N 1200V 26A, soporte superficial, paquete es TO-263-8, ² Pak (7 ventajas + etiquetas) de D.

Especificación de IMBG120R090M1H

Características de IMBG120R090M1H

• Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200 V
• Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 26A (Tc)
• Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
• Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.7V @ 3.7mA

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FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.