Transistores TO-247-4 del canal N del carburo de silicio del microprocesador IMZ120R030M1H del circuito integrado

Transistores TO-247-4 del canal N del carburo de silicio del microprocesador IMZ120R030M1H del circuito integrado

Descripción de producto de IMZ120R030M1H

IMZ120R030M1H es solos transistores de los MOSFETs de los FETs del canal N 1200V, paquete es TO-247-4, a través de agujero.

Especificación de IMZ120R030M1H

Características de IMZ120R030M1H

• voltaje de la Dren-fuente, ≥ 25°C de Tvj: 1200V
• El dren pulsado 150A actual, tp limitó por Tvjmax, VGS = 18V
• el cortocircuito 3µs soporta el tiempo, VDD = 800V, VDS, pico < 1200V="">

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FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.