Sic transistores TO-263-8 1700V de los MOSFETs del canal N del MOSFET IMBF170R1K0M1 del foso

Sic transistores TO-263-8 1700V de los MOSFETs del canal N del MOSFET IMBF170R1K0M1 del foso

Descripción de producto de IMBF170R1K0M1

IMBF170R1K0M1 es transistores del MOSFET del carburo de silicio del MOSFET del foso de CoolSiC™ 1700V sic, permitiendo una frecuencia más alta.

Especificación de IMBF170R1K0M1

Características de IMBF170R1K0M1

• Material revolucionario del semiconductor - carburo de silicio
• Optimizado para las topologías del tiempo de retorno
• Voltaje de la puerta-fuente 12V/0V compatible con la mayoría de los reguladores del tiempo de retorno
• Pérdidas que cambian bajas mismas
• Voltaje del umbral de la puerta de la prueba patrón, VGS (th) = 4.5V
• DV/dt completamente controlable para la optimización de la EMI

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.