Microprocesador TO-247-3 del circuito integrado del MOSFET IMW120R350M1H del carburo de silicio del foso

Microprocesador TO-247-3 del circuito integrado del MOSFET IMW120R350M1H del carburo de silicio del foso

Descripción de producto de IMW120R350M1H

IMW120R350M1H es 1200 MOSFETs del carburo de silicio del foso de V CoolSiC™ en el paquete TO247-3.

Especificación de IMW120R350M1H

Características de IMW120R350M1H

• pérdidas de la transferencia y de la conducción de la Mejor-en-clase
• Alto voltaje del umbral de la prueba patrón, Vth > 4 V
• 0 voltajes de la puerta de la vuelta-apagado de V para la impulsión simple y fácil de la puerta
• Amplia gama de los voltajes de fuente de puerta
• Diodo de pequeñas pérdidas y robusto del cuerpo para la conmutación dura
• Independiente de las pérdidas del interruptor-apagado de la temperatura

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.