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Transistores discretos del semiconductor de los MOSFETs del microprocesador IMBF170R650M1 del circuito integrado

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Transistores discretos del semiconductor de los MOSFETs del microprocesador IMBF170R650M1 del circuito integrado

Transistores discretos del semiconductor de los MOSFETs del microprocesador IMBF170R650M1 del circuito integrado
Integrated Circuit Chip IMBF170R650M1 MOSFETs Discrete Semiconductor Transistors
Transistores discretos del semiconductor de los MOSFETs del microprocesador IMBF170R650M1 del circuito integrado Transistores discretos del semiconductor de los MOSFETs del microprocesador IMBF170R650M1 del circuito integrado

Ampliación de imagen :  Transistores discretos del semiconductor de los MOSFETs del microprocesador IMBF170R650M1 del circuito integrado

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IMBF170R650M1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-263-8
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Transistores discretos del semiconductor de los MOSFETs del microprocesador IMBF170R650M1 del circuito integrado

Descripción
Número de parte: IMBF170R650M1 Transconductancia: 0,65 S
Resistencia interna de la puerta: 25,4 Ω Capacitancia de salida: 12 PF
Energía almacenada de COSS: µJ 2 Carga total de la puerta: 8 nC

Transistores discretos del semiconductor de los MOSFETs del microprocesador IMBF170R650M1 del circuito integrado

 

Descripción de producto de IMBF170R650M1

IMBF170R650M1 el canal N, MOSFETs del aumento-modo también ofrece extremadamente - un 22.7nC bajo a la carga de la recuperación del revés 23.0nC.

 

Especificación de IMBF170R650M1

Número de parte:

IMBF170R650M1

VGS:

-5 - 23 V

Corriente de la salida de la Puerta-fuente:

NA 100

Corriente cero del dren del voltaje de la puerta:

µA 150

Resistencia de la puerta:

Ω 6,0

Dren abierto:

1MHz


Características de IMBF170R650M1

  • Calificación extendida más allá de AEC-Q101

  • Prueba eléctrica aumentada

  • Diseño robusto

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte

Paquete

MSC080SMA120

TO-247

MSC015SMA070

TO-247

MSC035SMA070

TO-247

MSC090SMA070

TO-247-3

MSC750SMA170

TO-247-3

MSC017SMA120

TO-247

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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