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Sic microprocesador del circuito integrado de los transistores IMW65R027M1H TO-247-3 de los MOSFETs del poder del foso

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

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Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

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Sic microprocesador del circuito integrado de los transistores IMW65R027M1H TO-247-3 de los MOSFETs del poder del foso

Sic microprocesador del circuito integrado de los transistores IMW65R027M1H TO-247-3 de los MOSFETs del poder del foso
SiC Trench Power MOSFETs Transistors IMW65R027M1H TO-247-3 Integrated Circuit Chip
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Ampliación de imagen :  Sic microprocesador del circuito integrado de los transistores IMW65R027M1H TO-247-3 de los MOSFETs del poder del foso

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IMW65R027M1H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-247-3
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union
Contacto

Sic microprocesador del circuito integrado de los transistores IMW65R027M1H TO-247-3 de los MOSFETs del poder del foso

Descripción
Número de parte: IMW65R027M1H Serie: CoolSIC™ M1
Tipo del FET: Canal N Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 650 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 47A (Tc) Montaje del tipo: A través del agujero

Sic microprocesador del circuito integrado de los transistores IMW65R027M1H TO-247-3 de los MOSFETs del poder del foso

 

Descripción de producto de IMW65R027M1H

IMW65R027M1H es dispositivo de poder del foso de 650V CoolSiC M1 sic, solos transistores de los MOSFETs de los FETs del canal N.

 

Especificación de IMW65R027M1H

Número de parte IMW65R027M1H
Tecnología
 
SiCFET (carburo de silicio)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
34mOhm @ 38.3A, 18V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
5.7V @ 11mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (máximo)
+23V, -5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
2131 PF @ 400 V
Disipación de poder (máxima)
189W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-3-41


Usos de IMW65R027M1H

  • Infraestructura de carga de EV
  • Almacenamiento y batería de energía para el mation
  • Clase Damplifiers

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte Paquete
CY9BF324MBGL-GK9E1 QFP
SPC5777MK0MVA8 FBGA-512
SPC5634MF2MLQ80 LQFP-144
SPC5645SF1VLT LQFP208
SPC5602PEF0MLL6 LQFP100
SPC5748CBK0AMKU6 HTSSOP14

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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