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microprocesador del circuito integrado del transistor de poder de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 Power Transistor 8-PowerVDFN Integrated Circuit Chip
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Ampliación de imagen :  microprocesador del circuito integrado del transistor de poder de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IAUC60N04S6N031H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: 8-PowerVDFN
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

microprocesador del circuito integrado del transistor de poder de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN

Descripción
Número de parte: IAUC60N04S6N031H Montaje de estilo: SMD/SMT
Identificación - Corriente continua del dren: 113 A Qg - carga de la puerta: 23 nC
Paladio - disipación de poder: 75 W Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 3,1 mOhms

microprocesador del circuito integrado del transistor de poder de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 8-PowerVDFN

 

Descripción de producto de IAUC60N04S6N031H

IAUC60N04S6N031H se basa en la tecnología optimizada OptiMOS™6. La cartera proporciona una gama ancha del RDS (ENCENDIDO) a partir del mΩ el 3,0 al mΩ 7,0 y al grado actual creciente de la ficha técnica de 60A.

 

Especificación de IAUC60N04S6N031H

Número de parte IAUC60N04S6N031H
YoD (@25°C) máximo 60 A
Minuto de la temperatura de funcionamiento máximo -55 °C del °C 175
Paquete PG-TDSON-8
QG(tipo @10V) máximo 23 nC
Calificación Automotriz
RDS (encendido)(@10V) máximo mΩ 3,1
Tecnología OptiMOS™-6
VDSmáximo 40 V
VGS (th)minuto 2,2 V; 3 V


Características de IAUC60N04S6N031H

  • OptiMOS™ - MOSFET del poder para los usos automotrices
  • Semipuente - canal N - modo del aumento - nivel normal
  • El AEC Q101 calificó
  • MSL1 hasta flujo del pico 260°C
  • temperatura de funcionamiento 175°C
  • Producto verde (RoHS obediente)
  • La avalancha 100% probó

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte Paquete
MSC025SMA120 Módulo
MSCSM170AM15CT3AG Módulo
MSCSM170AM23CT1AG Módulo
MSCSM170AM45CT1AG Módulo
MSCSM170AM058CD3AG Módulo
MSCSM170AM039CT6AG Módulo

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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