TO-247-3 a través de los transistores de la parada de campo del foso del agujero IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

TO-247-3 a través de los transistores de la parada de campo del foso del agujero IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

Descripción de producto de IKQ120N120CS7XKSA1

IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT ofrece una capacidad del voltaje de bloqueo del colector-emisor de 1200 V.

Especificación de IKQ120N120CS7XKSA1

Características de IKQ120N120CS7XKSA1

• IGBT co-embaló con el diodo actual, suave y bajo lleno de Qrr

• Voltaje de saturación bajo VCEsat = 2,0 V en Tvj = 175°C

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.