Parada de campo de alta velocidad del foso de los transistores IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A

Parada de campo de alta velocidad del foso de los transistores IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A

Descripción de producto de IKQ100N120CH7XKSA1

El IKQ100N120CH7XKSA1 duro-cambió 1200 V, 100 A TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 que el dispositivo discreto en un paquete del perno de TO-247PLUS 3 se diseña para cubrir las necesidades de usos con poco carbono tales como picovoltio solar, sistemas de alimentación ininterrumpida y cargas de batería.

Cualidades de producto de IKQ100N120CH7XKSA1

Características de IKQ100N120CH7XKSA1

• VCE = 1200 V
• IC = 100 A
• Temperatura de empalme máxima Tvjmax = 175°C
• la Mejor-en-clase IGBT de alta velocidad co-embaló con la corriente clasificada completa, Qrr bajo y el diodo de alta velocidad suave-que conmutaba
• Voltaje de saturación bajo VCEsat = 1,7 V en Tvj = 25°C

Usos de IKQ100N120CH7XKSA1

• UPS industrial
• EV-carga

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.